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SiCショットキー・ダイオードがElectronique Magazineの「Electron d'Or 2009」賞を受賞

STマイクロエレクトロニクス

SiCショットキー・ダイオード（STPSC806D/STPSC1006D）が、
最優秀“電力変換”製品に選出
パワー半導体の世界的リーダーであるSTマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、
以下ST）は、同社の新しいシリコン・カーバイド（SiC）ショットキー・
ダイオード製品ファミリがElectronique Magazineの『Electron d’Or 2009』賞
を“電力変換”部門で受賞したことを発表しました。各部門の受賞製品は、
前年にリリースされた製品の中より候補が選ばれ、エレクトロニクス業界で
定評ある専門家によって構成される審査委員会によって決定されます。

STのASD（特定用途向けデバイス）& IPAD（Integrated Passive and Active
Devices）製品事業部のジェネラル・マネージャであるRicardo de Sa Earpは
次の様にコメントしています。「名誉ある『Electron d'Or 2009』賞の受賞は、
パワー・アプリケーション向けに高信頼・高性能製品を提供するというSTの
コミットメントを実証しています。Electronique Magazineならびにフランスの
エレクトロニクス業界を代表する専門家の方々に認められたことに深く感謝
ると共に、当社のSiCショットキー・ダイオードが選出されたことを光栄に
思います。」

STのSiCダイオードであるSTPSC806DおよびSTPSC1006Dは、最先端の基板技術を
採用することで電源のスイッチング損失を低減し、高効率化と発熱の低減を
実現します。スイッチング電源（SMPS）に一般的に使用されているシリコン（Si）
ダイオードが、ターンオフ時に効率を最大1%低減するのに対して、SiC技術は
ダイオードの順方向導通期間に逆回復電荷が蓄積しないため、高効率化が可能
です。SiCショットキー・ダイオードは、逆回復電荷を排除することで全体
のスイッチング損失を低減し、効率の向上と熱損失の低下を実現しています。

本プレスリリースは以下のURLでもご覧いただけます。
http://www.st-japan.co.jp/data/press/t2390d.html

STマイクロエレクトロニクスについて
STマイクロエレクトロニクスは、多種多様な電子機器向けに革新的な半導体
ソリューションを提供する世界的な総合半導体メーカーです。STは、高度な
技術力と設計ノウハウ、そして幅広いIP（Intellectual Property）
ポートフォリオ、戦略的パートナーシップ、大規模な製造力を駆使すること
により、マルチメディア・コンバージェンスとパワー・アプリケーションに
おいて他社の追随を許さないリーダーとなることを目指しています。
2008年の売上は98.4億ドルでした。
さらに詳しい情報はSTのホームページをご覧ください。
ST日本法人:http://www.st-japan.co.jp
STグループ（英語）:http://www.st.com