経済総合 – とれまがニュース

東芝：高性能・低消費電力・低コストが特長の開発プラットフォーム「FFSA™」のラインアップに130nmのプロセスを追加

• ツイート
• 
• 

2018年11月13日

～自社グループ内の製造拠点で長期供給～

東京

（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、高性能と低消費電力を低コスト［注１］で実現した開発プラットフォームFFSA™(Fit Fast Structured Array)の新製品として、130nmのプロセスをラインアップに追加しました。本日から順次受注活動を開始します。

本プレスリリースではマルチメディアを使用しています。リリースの全文はこちらをご覧ください。： https://www.businesswire.com/news/home/20181112005852/ja/

当社は、カスタムSoC開発のプラットフォームとしてASIC(Application Specific IC) とFFSA™を保有しており、顧客の事業環境や製品に合わせた提案を行っています。FFSA™は、顧客の求める高性能、低消費電力、低コストといった要求仕様を数枚のマスクで実現することが可能なプラットフォームであり、従来のASIC (Application Specific IC) よりも大幅な開発費削減、短期間でのサンプル提供および量産が可能です。また、ASICと同等の開発手法や、ライブラリを使用することで、FPGA (Field Programmable Gate Array)よりも高い性能と低消費電力を実現します。［注１］

当社はこれまで、FFSA™として、28nm・40nm・65nmプロセス製品を展開していましたが、今回これらのラインアップに130nmプロセス製品を追加しました。安定した市場伸長が見込まれる産業機器向けを中心に拡販し、顧客製品の付加価値向上やラインアップ拡充に貢献します。

なお、今回の新製品は、当社子会社の株式会社ジャパンセミコンダクターにて製造します。ASIC、ASSP(Application Specific Standard Product)、マイコンなど多様な製品製造で実績を持つ同社で製造することで、長期供給や、BCP(Business Continuity Plan)のニーズに対応します。

本製品がターゲットとする市場・産業機器・通信機器・OA機器・民生機器　 など

 

FFSA ™製品ラインアップ

プロセス・テクノロジー   130nm   65nm   40nm   28nm 最大ゲート数[注２] 912Kgate 21Mgate 25Mgate 100Mgate 最大SRAM容量 664Kbit 19Mbit 30Mbit 207Mbit 最大トランシーバ速度 － － 12.5Gbps 28Gbps 最大トランシーバ・レーン数 － － 14 64 最大I/Oピン数   337   1110   720   928  

[注1] 従来のASIC/FPGA製品との比較。当社比。[注2] 使用可能なゲート数は、目安の数値であり、適用する回路によって変動します。

※ FFSATMは、東芝デバイス＆ストレージ株式会社の商標です。※ その他、本文中に記載されている会社名および製品名は、それぞれ各社が商標または登録商標として使用している場合があります。

新製品のさらに詳しい仕様については下記ページをご覧下さい。https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/custom-soc/platform/ffsa.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先：システムLSIマーケティングセンターTel: 044-548-2753http://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

＊本資料に掲載されている情報（製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など）は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

businesswire.comでソースバージョンを見る：https://www.businesswire.com/news/home/20181112005852/ja/

連絡先

報道関係の本資料に関するお問い合わせ先：
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
長沢 千秋
Tel: 03-3457-4963
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

記事提供：ビジネスワイヤ