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東芝デバイス&ストレージ(株):第2世代650V耐圧SiCショットキバリアダイオードに表面実装パッケージ製品を追加

2017年10月17日

~サージ電流耐量と効率性能指数を同時に改善した当社第2世代チップを、初めて表面実装パッケージに搭載~

東京

(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、シリコンカーバイド(SiC)を採用したショットキバリアダイオード(SBD)の新製品として、表面実装パッケージ6製品をラインアップに追加し、本日から量産出荷を開始します。

本プレスリリースではマルチメディアを使用しています。リリースの全文はこちらをご覧ください。: http://www.businesswire.com/news/home/20171016006345/ja/

当社はこれまでリード挿入パッケージのSiC SBD製品を量産、販売してきましたが、セットの小型化、薄型化実現という市場要求に応えるため、表面実装パッケージ(通称名:DPAK)を当社として初めて製品化しました。

新製品は、当社最新の第2世代チップを搭載しており、サージ電流耐量(IFSM)と効率性能指数(VF・Qc[注])を同時に改善し、破壊しにくく低損失な特長を兼ね備えています。低損失な本製品を採用することで、セットの効率向上、放熱設計の簡素化が図れます。

当社は今後もラインアップの充実を図り、通信機器、サーバ、インバータなどの高効率化、小型化の実現に貢献していきます。

[注] Qc:接合容量Cjの0.1V~400V間 総電荷量

新製品の主な特長

サージ電流耐量が高い ・・ 電流定格IF(DC)の約7~9.5倍を実現 性能指数VF・Qcが小さい ・・ 第1世代品に対し約2/3化を達成し、高効率化を実現 表面実装パッケージ ・・ 実装工程自動化、セットの小型・薄型化に貢献

応用機器

高効率電源のPFC回路部を中心に民生から産業まで幅広く応用可能です。

最終セットへの応用民生・OA用途: 4K大型スクリーン用液晶&OLED TV電源、プロジェクタ電源、複合複写機用電源など産業用途 : 通信基地局用電源、PCサーバ用電源、太陽光マイクロインバータなど 回路部への応用力率改善回路(PFC)マイクロインバータ回路チョッパー回路(数百W以上の各種電源装置)スイッチング素子のフリーホイールダイオード部  

主要特性

パッケージ   項目名   絶対最大定格   電気的特性 直流順電流  

非繰り返しピーク順電流

 

許容損失

 

接合温度

順電圧  

効率性能指数

 

接合容量

 

総電荷量

記号 IF(DC) IFSM Ptot Tj VF VF・QC Cj QC 単位

(A)

(A)

(W)

(℃)

(V)

(V・nC)

(pF)

(nC)

値 最大 最大 最大 最大 - 標準 標準 標準

品名/条件

正弦半波t=10ms

Tc=25℃ - IF =IF(DC) - VR=1V VR=400V 表面実装

DPAK

TO-252相当

TRS2P65F 2 19 34.0 175 1.45

(標準)

1.60

(最大)

8.4 85 5.8 TRS3P65F 3 26 37.5 11.7 120 8.1 TRS4P65F 4 33 41.0 15.1 165 10.4 TRS6P65F 6 45 48.3 21.9 230 15.1 TRS8P65F 8 58 55.5 28.6 300 19.7   TRS10P65F   10   70   62.5       35.4   400   24.4  

新製品を含む当社のSiCショットキバリアダイオード製品の詳細については下記WEBページをご覧ください。https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/diode/sic.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先:パワーデバイス営業推進部Tel:03-3457-3933https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

連絡先

報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
東芝デバイス&ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢千秋
Tel: 03-3457-4963
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

記事提供:ビジネスワイヤ

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