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東芝:半導体テスターの高周波信号スイッチに適した小型フォトリレー発売について

2023年10月17日

~インサーションロスを低減し高周波信号の通過特性を向上~

川崎

(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、インサーションロスを低減し、高周波信号[注1]通過時の電力減衰を抑えた、小型・薄型WSON4パッケージのフォトリレー「TLP3475W」を製品化し、本日から出荷を開始します。 新製品は、多数のリレーを使用し、信号伝送の高速化が求められる半導体テスターのピンエレクトロニクスなどに適しています。

本プレスリリースではマルチメディアを使用しています。リリースの全文はこちらをご覧ください。:https://www.businesswire.com/news/home/20231016991453/ja/

TLP3475Wは、パッケージの最適化設計により寄生容量やインダクタンスを削減しました。これにより、インサーションロスを低減し、高周波信号の通過特性を既存製品TLP3475Sと比べて約1.5倍[注2]の標準20GHz[注2]に向上しています。 パッケージは、厚みを標準0.8mmに抑えた小型・薄型のWSON4パッケージを採用し、業界最小サイズ[注3]で高周波信号の通過特性を実現しました。当社の超小型S-VSON4Tパッケージに比べて厚みを40%削減し、同一基板内により多くの製品が実装可能となり測定効率の改善に貢献します。

当社は、今後も半導体テスターの高速化、高機能化のニーズに対応した製品ラインアップを拡充していきます。

応用機器

半導体テスター (高速メモリーテスター、高速ロジックテスターなど) プロ―ブカード 計測機器

新製品の主な特長

業界最小サイズ[注3]のWSON4パッケージ : 1.45mm×2.0mm (typ.)、t=0.8 mm (typ.) インサーションロス低減による高周波信号通過特性向上 : 20 GHz (typ.) [注2] ・ノーマリーオープン機能 (1a接点)

[注1] 周波数帯域が数100MHz~数10GHzの信号とした場合。 [注2] 信号が出力MOSFETを通過する前後の電力減衰比 (インサーションロス) が-3dBとなる周波数帯域。 [注3] フォトリレー製品において。2023年10月現在、当社調べ。

新製品の主な仕様

(特に指定のない限り、Ta = 25°C)

品番

TLP3475W

パッケージ

名称

WSON4

サイズ (mm)

1.45×2.0 (typ.)、t=0.8 (typ.)

絶対最大定格

阻止電圧 VOFF (V)

60

オン電流 ION (A)

0.4

オン電流 (パルス) IONP (A)

1.2

動作温度 Topr (°C)

-40~110

結合特性

トリガーLED電流 IFT (mA)

max

3.0

オン抵抗 RON (Ω)

typ.

1.1

max

1.5

電気的特性

端子間容量 (出力側) COFF (pF)

max

20

スイッチング特性

ターンオン時間 tON (ms)

RL = 200Ω、

VDD = 20V、

IF = 5mA

max

0.25

ターンオフ時間 tOFF (ms)

0.2

絶縁特性

絶縁耐圧 BVS (Vrms)

min

300

在庫検索&Web少量購入

Buy Online

新製品の詳細については下記ページをご覧ください。 TLP3475W

当社のその他のフォトリレー製品については下記ぺージをご覧ください。 フォトリレー(MOSFET出力)

オンラインディストリビューターが保有する当社製品の在庫照会および購入は下記ページをご覧ください。 TLP3475W

* 社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。 * 本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。 予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

連絡先

お客様からの製品に関するお問い合わせ先
オプトデバイス営業推進部
Tel: 044-548-2218
お問い合わせ

報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
東芝デバイス&ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢 千秋
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

記事提供:ビジネスワイヤ

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