SiCおよびGaNパワー半導体市場規模、シェア、動向および成長見通し（2025-2035）
ＫＤマーケットインサイツ株式会社
KDマーケット・インサイツは、「SiCおよびGaNパワー半導体市場の将来動向と機会分析―2025年から2035年」を題した市場調査レポートを発表しました。本レポートの範囲には、現在の市場動向および将来の成長機会に関する情報が含まれており、読者が的確なビジネス判断を下すための資料となります。本調査では、KDマーケット・インサイツの研究チームが一次および二次分析手法を用いて市場競争を評価し、競合他社をベンチマークし、Go-to-Market（GTM）戦略を分析しました。
世界のSiCおよびGaNパワー半導体市場に関する調査報告書によると、市場は2025年から2035年の間に年平均成長率（CAGR）23.1％で成長し、2035年末までに市場規模は118億米ドルに達すると予測されています。2025年の市場規模は16億米ドルの収益と評価されました。
SiCおよびGaNパワー半導体市場規模、シェア、成長要因、セグメンテーション、メーカーおよび将来展望
市場概要
SiC（炭化ケイ素）およびGaN（窒化ガリウム）パワー半導体市場は、エネルギー効率の高い電子機器、電動モビリティ、再生可能エネルギーシステム、高性能電力管理ソリューションへの移行が加速する中、世界的に力強い成長を遂げています。両材料はワイドバンドギャップ（WBG）半導体であり、従来のシリコンデバイスと比べて高耐圧、高速スイッチング、高い熱伝導率、低損失といった優れた特性を持ちます。
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https://www.kdmarketinsights.jp/sample-request/760カーボンニュートラル化とエネルギー最適化を目指す産業界では、SiCおよびGaNデバイスは電気自動車（EV）、電力網、5G基地局、太陽光インバータ、データセンター、産業用自動化システムなどで不可欠な存在となっています。特に日本、米国、中国、欧州がこれら技術の導入をリードしており、日本はWBG半導体の製造・材料研究・パワーエレクトロニクス分野での先駆的な役割を担っています。
また、日本政府による半導体自給、EVインフラ整備、再生可能エネルギー推進への投資も市場の成長を後押ししています。ローム、三菱電機、東芝などの企業が先頭に立ち、日本はSiCおよびGaNパワー半導体の世界的生産拠点として確固たる地位を築いています。
市場規模とシェア
SiCおよびGaNパワー半導体市場は、近年大幅な拡大を続けており、高出力・高効率電子機器への需要増加が成長を支えています。SiCデバイスはEV駆動系、産業用ドライブ、太陽光インバータなどの高電圧・高温用途に適しており、一方GaN半導体は急速充電器、5Gシステム、データセンター電源などの中・低電圧、高周波用途で採用が進んでいます。
日本では特に自動車および再生可能エネルギー分野での需要が高く、政府の2050年カーボンニュートラル目標が導入を加速させています。自動車メーカー各社は、オンボードチャージャー、トラクションインバータ、DC/DCコンバータにSiC・GaN部品を採用し、効率向上と航続距離拡大を図っています。
さらに、日本は半導体材料およびエピタキシャルウェーハ生産に強みを持ち、グローバル市場における競争優位性を確保しています。
成長要因
車両の電動化：SiCデバイスはEVインバータや車載充電器に広く使用され、高効率化と航続距離延長を実現。
再生可能エネルギーの拡大：SiCおよびGaN部品により、太陽光・風力発電装置の効率が向上。
エネルギー効率規制の強化：低損失半導体技術の採用を促進。
5Gおよびデータセンターの進化：GaN半導体が高速スイッチングと高電力密度を実現。
産業自動化：SiCモジュールによりモータードライブやロボットの性能向上。
政府支援：日本や韓国を中心に半導体研究開発・製造支援が進む。
小型化・システム統合：携帯・高周波用途向けの高出力・コンパクトデバイス需要。
持続可能性への貢献：WBG半導体がエネルギーロスを削減し脱炭素化に寄与。
市場セグメンテーション
材料別
炭化ケイ素（SiC）
窒化ガリウム（GaN）
デバイス別
パワーモジュール
パワーディスクリート（ダイオード、トランジスタ、MOSFETなど）
パワーIC
用途別
電気自動車（EV）・ハイブリッド車
再生可能エネルギー（太陽光・風力）
電源ユニット（SMPS）
5Gインフラ
家電・急速充電器
産業機器
航空宇宙・防衛
エンドユーザー別
自動車産業
エネルギー・公益事業
通信
家電
産業製造
これらの中で、自動車分野が最大の収益シェアを占め、続いて再生可能エネルギーおよびデータセンター用途が続きます。
主要メーカー
世界市場では、日本を中心に有力半導体メーカーが多数参入しています。主な企業は以下の通りです：
ローム株式会社（日本）：EVおよび産業用モジュール向けSiCデバイスの世界的リーダー。
三菱電機株式会社（日本）：EVおよびエネルギーシステム向けSiCモジュール・GaN RFデバイスを製造。
東芝デバイス＆ストレージ株式会社（日本）：産業・自動車向けSiC MOSFETおよびダイオードを開発。
富士電機株式会社（日本）：再生可能エネルギー・産業用SiCモジュールを提供。
インフィニオン・テクノロジーズAG（ドイツ）：自動車・産業分野向けSiCおよびGaNデバイスを供給。
オン・セミコンダクター（米国）：EVおよび太陽光発電向けSiC MOSFET・ショットキーダイオードを展開。
STマイクロエレクトロニクス（スイス）：エネルギー・モビリティ向けWBG半導体製品を提供。
GaN Systems／Transphorm Inc.（日本・米国）：高効率電子機器向けGaNパワートランジスタのリーダー。
日本メーカーはウェーハ製造、パッケージング、信頼性試験において高い競争力を維持しています。
調査レポートはこちら@
https://www.kdmarketinsights.jp/report-analysis/sic-and-gan-power-semiconductors-market/760将来展望
世界的な電動化・持続可能化・デジタルトランスフォーメーションの進展により、SiCおよびGaNパワー半導体市場の将来は極めて有望です。自動車、通信、再生可能エネルギー分野での採用拡大により、高性能電力デバイスの需要は今後も増加する見込みです。
今後注目されるトレンド：
EVエコシステムへの統合：次世代EVでの電力変換・熱管理の最適化。
国内半導体生産の強化：日本のWBG材料およびウェーハ製造拡大戦略。
AI・IoTとの融合：SiC/GaNモジュールによるスマートエネルギーシステムの実現。
3Dパッケージング・小型モジュール化：性能向上と形状の最適化。
急速充電インフラの拡大：GaN技術による超高速充電の実現。
まとめ
SiCおよびGaNパワー半導体市場は、技術革新、グリーンモビリティ、エネルギー効率化の流れに支えられ、持続的な拡大が期待されます。日本は高度材料技術、精密製造、パワーエレクトロニクス分野でのリーダーシップを背景に、次世代半導体開発の中心的存在として、より電動化・持続可能な未来の実現に貢献していくでしょう。
配信元企業：ＫＤマーケットインサイツ株式会社
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記事提供：DreamNews
