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東芝：最先端プロセスを用いた組込み式ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの発売について

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2013年10月31日

― １９ｎｍ第二世代プロセスを用いたJEDEC e･MMCTM Version 5.0準拠の新製品 ―

東京

（ビジネスワイヤ） -- 東芝は、スマートフォンやタブレットなどの携帯機器向けに、１９ｎｍ第二世代プロセスを用いたＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップを採用した、３２ＧＢと１６ＧＢの組込み式ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（e･MMCTM注１）を製品化し、１１月下旬から量産を開始します。

新製品は、今年9月に開催されたJEDECで正式に策定された e･MMCTM Version 5.0注２に準拠し、１９ｎｍ第二世代プロセスを用いたNAND型フラッシュメモリとコントローラチップを一体化した制御機能付の組み込み式NAND型フラッシュメモリです。最先端プロセスを採用したＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップを使用することにより、従来製品注３に比べてパッケージサイズ面積が２２％小型化しました。

また、新規高速インターフェース規格HS400の適用、コントローラの処理能力向上、書き込み処理の最適化などにより、従来製品に比べて読み出し速度が６４％、書き込み速度が３２ＧＢで３８％、１６ＧＢで２５％、高速化しました。

なお、４ＧＢ、８ＧＢ、６４ＧＢ、１２８ＧＢの製品も順次量産を行う予定です。

近年、スマートフォンやタブレット、デジタルビデオカメラなどの様々な携帯機器で、高画質動画を記録したり、大容量のデータベースを加工・記録するニーズが高まっており、それらを保存する大容量メモリが求められています。当社は、今後も機器側の開発負担軽減に寄与する大容量メモリ製品のラインアップを強化していきます。

注１ embedded MultiMediaCard 。JEDECの規格に準拠した組込みメモリで、JEDECの登録商標です。注２ JEDECが規定する組込み式NAND型フラッシュメモリembedded MMC標準規格の一つ。注３ 19nm第一世代プロセスを用いた高速クラスの組込み式ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（e･MMCTM）。

 

新製品の概要

型 名  

容量

  パッケージ   量産時期 THGBMBG8D4KBAIR

32GB

153Ball FBGA

11.5x13x1.0mm

2013年11月下旬 THGBMBG7D2KBAIL  

16GB

  153Ball FBGA

11.5x13x0.8mm

  2013年11月下旬  

新製品の主な特長

１．ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの制御機能を搭載ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの制御機能（書込みブロック管理、エラー訂正、ドライバーソフトウェアなど）を搭載しており、ユーザー側での開発負荷が軽減され、システム開発期間の短縮につながります。

２．１９ｎｍ第二世代プロセスを用いたNAND型フラッシュメモリチップを採用最先端の１９ｎｍ第二世代プロセスを用いたNAND型フラッシュメモリチップを、３２ＧＢモデルでは４枚、１６ＧＢでは２枚採用しています。

３．小型化と高速化を実現１１．５ｍｍ×１３ｍｍの小型ＦＢＧＡパッケージを採用しているため、小型軽量化が求められるスマートフォンやタブレットへの搭載に適しています。また、従来製品に比べて読み出し速度が６４％、書き込み速度が３２ＧＢで３８％、１６ＧＢで２５％高速化しました。

４．大容量データの記録が可能３２ＧＢモデルでは、ＨＤ画質動画で４．１時間、ＳＤ画質動画で９．６時間、ワンセグでは１６１時間の映像データ注４の記録が可能です。

注４ 各平均ビットレートは、HD画質 約17Mbps、SD画質 約７Mbps、ワンセグ(QVGA) 約416Kbpsで計算。

 

新製品の主な仕様

型 名   THGBMBG8D4KBAIR   THGBMBG7D2KBAIL インターフェース JEDEC e･MMCTM Version 5.0規格準拠

HS-MMCインターフェース

容 量 32GB 16GB 電源電圧 2.7~3.6V （メモリコア）

1.7V~1.95V / 2.7V~3.6V（インターフェース）

バス幅 x1 / x4 / x8 書込み速度 ９０メガバイト/秒

（シーケンシャル/ ＨＳ４００モード）

５０メガバイト/秒

（シーケンシャル/ ＨＳ４００モード）

読出し速度 ２７０メガバイト/秒

（シーケンシャル/ ＨＳ４００モード）

  ２７０メガバイト/秒

（シーケンシャル/ ＨＳ４００モード）

動作温度 -25℃~+85℃ パッケージ   153Ball FBGA

11.5x13x1.0mm

  153Ball FBGA

11.5x13x0.8mm

 

お客様からの製品に関するお問い合わせ先：メモリ営業推進統括部Tel: 03-3457-3461

＊本資料に掲載されている情報（製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など）は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

Photos/Multimedia Gallery Available: http://www.businesswire.com/multimedia/home/20131030006801/ja/

連絡先

報道関係の本資料に関するお問い合わせ先：
東芝 セミコンダクター＆ストレージ社
高畑浩二
Tel: 03-3457-4963
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

記事提供：ビジネスワイヤ