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東芝:車載用低オン抵抗40V耐圧 NチャネルパワーMOSFETの発売について

2016年01月29日

機器の導通損失とEMIの低減に寄与する新製品をラインアップに追加

東京

(ビジネスワイヤ) -- 株式会社東芝 セミコンダクター&ストレージ社は、車載用40V耐圧NチャネルのパワーMOSFETの新製品として、業界トップクラス[注1]の低オン抵抗を実現した「TKR74F04PB」をラインアップに追加し、本日から出荷を開始します。車載用のDC/DCコンバータ、電動パワーステアリング(EPS)などに使用される大容量モータ駆動、半導体リレーなどのアプリケーションに適した製品です。

このSmart News Release(スマート・ニュース・リリース)にはマルチメディアのコンテンツが含まれています。リリース全文はこちらから: http://www.businesswire.com/news/home/20160129005286/ja/

新製品は、当社最新のトレンチMOS第9世代「U-MOS IX-H(ユー・モス・ナイン・エイッチ)シリーズ」のプロセスで作ったMOSFETチップを、低抵抗パッケージのTO-220SM(W)に搭載することで、業界トップクラスの低オン抵抗特性を実現しました。この低オン抵抗特性によって、機器の導通損失の低減に貢献することが可能になる他、スイッチングノイズが少ない特性により、EMI[注2]の低減にも寄与することができます。

[注1]2016年1月29日時点、同定格の製品において。東芝調べ。[注2]EMI: Electro Magnetic Interference。電磁妨害。

新製品のさらに詳しい仕様については下記ページをご覧ください。http://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TKR74F04PB&lang=ja&region

お客様からの製品に関するお問い合わせ先:車載営業推進部Tel: 03-3457-3428

連絡先

報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
株式会社東芝
セミコンダクター&ストレージ社
高畑浩二
Tel: 03-3457-4963
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

記事提供:ビジネスワイヤ

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