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東芝：高効率電源向けに低オン抵抗と高速スイッチング特性を改善した800V耐圧スーパージャンクション構造のNチャネルパワーMOSFETの発売について

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2017年01月20日

東京

（ビジネスワイヤ） -- 株式会社東芝 ストレージ＆デバイスソリューション社は、高効率電源向けに、低オン抵抗と高速スイッチング特性を改善した低電圧駆動のパワーMOSFETの新製品として、800 V耐圧でスーパージャンクション構造のNチャネルパワーMOSFET 8製品を「DTMOS IV（ディーティーモス・フォー）シリーズ」のラインアップに追加し、本日から出荷を開始します。

このSmart News Release（スマート・ニュース・リリース）にはマルチメディアのコンテンツが含まれています。リリース全文はこちらから： http://www.businesswire.com/news/home/20170120005139/ja/

新製品は、スーパージャンクション構造を適用することによって、単位面積当たりのオン抵抗「RON x A」を、当社既存製品「π-MOSVIIIシリーズ」に比べて約79%低減しています。また、高速スイッチング特性により、応用機器の電源効率の改善に貢献することが可能です。各種産業用電源、各種サーバー用スタンバイ電源、ノートPCやモバイル機器向けのアダプターやチャージャー、LED照明用電源などの応用機器に対応する製品です。

 

＊新製品のラインアップ・主な仕様：

(@Ta=25°C)

品番   パッケージ   絶対最大定格  

ドレイン・ソース間オン抵抗RDS(ON)@VGS=10 V(Ω)

 

ゲート入力電荷量Qg typ.@VDD≈640 V,VGS=10 V,ID=MaximumRating(nC)

 

入力容量Cisstyp.@VDS=300 V,VGS=0 V,f=1 MHz(pF)

ドレイン・ソース間電圧VDSS@ID=10 mA

(V)

 

ドレイン電流(DC)ID(A)

TK17A80W TO-220SIS 800 17 0.29 32

2050［注１］

TK12A80W TO-220SIS 800 11.5 0.45 23 1400 TK10A80W TO-220SIS 800 9.5 0.55 19 1150 TK7A80W TO-220SIS 800 6.5 0.95 13 700 TK17E80W TO-220 800 17 0.29 32

2050［注１］

TK12E80W TO-220 800 11.5 0.45 23 1400 TK10E80W TO-220 800 9.5 0.55 19 1150 TK7E80W   TO-220   800   6.5   0.95   13   700

［注１］測定条件 f=100 kHz

 

新製品を含む東芝の中高耐圧MOSFET製品の詳細については下記ホームページをご覧ください。https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/hv-mosfet.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先：パワーデバイス営業推進部Tel： 03-3457-3933https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

＊本資料に掲載されている情報（製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など）は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

businesswire.comでソースバージョンを見る：http://www.businesswire.com/news/home/20170120005139/ja/

連絡先

報道関係の本資料に関するお問い合わせ先：
株式会社東芝
ストレージ＆デバイスソリューション社
デジタルマーケティング部
高畑浩二
Tel: 03-3457-4963
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

記事提供：ビジネスワイヤ