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Semikron Danfossとパワー半導体モジュールの新標準パッケージを共同開発

三菱電機株式会社

Semikron Danfossとパワー半導体モジュールの新標準パ

3レベル回路を内蔵したLV100基準の新標準パッケージで、インバーターの設計共通化に貢献


[画像1: https://prcdn.freetls.fastly.net/release_image/120285/410/120285-410-af88ddbfb1addf96e501c0b73e9270e0-1500x1272.jpg?width=536&quality=85%2C75&format=jpeg&auto=webp&fit=bounds&bg-color=fff ]
3レベルTタイプ回路内蔵パワー半導体モジュールの新標準パッケージ(イメージ)

 三菱電機株式会社は、産業分野や発電システムの電力変換装置に使用される、3レベルTタイプ回路(※1)内蔵パワー半導体モジュールの新標準パッケージ(端子部分を含む外装)を、ドイツのパワー半導体メーカーであるSemikron Danfoss Elektronik GmbH & Co. KG(以下、セミクロン・ダンフォス)と共同開発しました。

 本パッケージは、当社の高出力帯向け「LV100タイプ」パッケージとセミクロン・ダンフォスの「SEMITRANS20」パッケージを基準として、端子配置と端子機能の両社製品間の互換性を確保した、3レベルTタイプ回路インバーター向けのパワー半導体モジュールのパッケージです。

 近年、脱炭素社会の実現に向けて、産業分野や発電システムの電力変換装置で使用されるインバーターには、さらなる低消費電力化や効率化が求められています。これらに採用される回路構成は、従来の2レベル回路よりも高効率な電力変換や周辺部品の小型化が可能な3レベル回路の適用が進んでおり、使用されるパワー半導体モジュールにも3レベル回路への適応が求められています。

 今回、当社とセミクロン・ダンフォスが共同開発したパッケージは、3レベルTタイプ回路を内蔵し、インバーターの高効率化や小型化に貢献します。また、3レベルTタイプ回路向けに主電極端子と制御用補助端子を最適配置することで、インバーターの設計自由度も向上します。

 今後、両社それぞれが新標準パッケージを採用したパワー半導体モジュールを開発していくことで、ユーザーのインバーターの設計共通化にも貢献します。

 なお、本製品は「PCIM Expo & Conference 2026」(6月9日~11日、於:ドイツ連邦共和国・ニュルンベルク)や、日本、中国等で開催される展示会へ出展予定です。

■新標準パッケージの特長
1.セミクロン・ダンフォスと互換性を確保した新標準パッケージを共同開発し、インバーター設計共通化に貢献
・当社の高出力帯向け「LV100タイプ」パッケージおよびセミクロン・ダンフォスの「SEMITRANS20」パッケージを基準として、端子配置と端子機能の互換性を確保したパワー半導体モジュールの新標準パッケージを共同開発
・今後、新標準パッケージを採用した製品を両社がそれぞれ開発していくことで、インバーターの設計共通化に貢献

2.3レベルTタイプ回路を内蔵し、インバーターの高効率化や小型化に貢献
・複雑な回路構成が必要な3レベルTタイプ回路を1つのパワー半導体モジュールのパッケージに集約し内蔵
・従来の2レベル回路で設計されたインバーターよりも、高効率な電力変換や周辺部品の小型化が可能な3レベルTタイプ回路のインバーター設計が容易となり、インバーターの高効率化や小型化に貢献

3.端子配置と端子機能を3レベルTタイプ回路構成に合わせて最適化し、高出力インバーターにおける設計自由度の向上に貢献
・3レベルTタイプ回路向けに主電極端子を最適配置。これにより、パワー半導体モジュールの寄生インダクタンス(※2)の低減を実現することに加え、インバーターのバスバー設計(※3)の簡素化が可能
・3レベルTタイプ回路のインバーターの制御に必要な4素子分の制御用補助端子を搭載。これらの制御用補助端子を最適配置することで、3レベルTタイプ回路を用いたインバーターの駆動回路設計の簡素化に貢献
・主電極端子と制御用補助端子の最適配置により、3レベルTタイプ回路のインバーターにおける設計自由度の向上に貢献

[画像2: https://prcdn.freetls.fastly.net/release_image/120285/410/120285-410-72afe1380a9368ca3303030cd0e5f9c6-977x456.jpg?width=536&quality=85%2C75&format=jpeg&auto=webp&fit=bounds&bg-color=fff ]



■ 製品仕様
[表1: https://prtimes.jp/data/corp/120285/table/410_1_66700808ff519b907ea90e15f764fdee.jpg?v=202606090115 ]

■ 商標関連
[表2: https://prtimes.jp/data/corp/120285/table/410_2_90042a464bd4472aabd56329936cb7cc.jpg?v=202606090115 ]

■製品担当
 三菱電機株式会社 パワーデバイス製作所
 〒819-0192 福岡県福岡市西区今宿東一丁目1番1号

■Semikron Danfoss Elektronik GmbH & Co. KGについて
 セミクロン・ダンフォスは、パワー半導体、モジュール、システムの世界的メーカーです。約3,500人の従業員を擁し、産業用ドライブ、再生可能エネルギー、車載分野において、革新的なソリューションを提供しています。
詳細は、http://www.semikron-danfoss.comをご覧ください。

■三菱電機グループについて
 三菱電機グループは、「Our Philosophy」のもと、サステナビリティを経営の根幹に据え、社会・顧客・株主・従業員をはじめとしたステークホルダーからの信頼を重んじてまいります。また、「収益性」「資本効率」「成長性」を追求するとともに、顧客と繋がり続けて社会課題を解決する新たな価値を創出し、企業価値の持続的向上を図ります。1921年の創業以来、100年を超える歴史を有し、社会システム、エネルギーシステム、防衛・宇宙システム、FAシステム、自動車機器、ビルシステム、空調・家電、デジタルイノベーション、半導体・デバイスといった事業を展開しています。世界に200以上のグループ会社と約15万人の従業員を擁し、2025年度の連結売上高は5兆8,947億円でした。詳細は、オフィシャルウェブサイトをご覧ください。

※1 直流電圧を3段階の電位で制御する回路方式。従来の2レベル回路に比べ、出力波形が正弦波に
   近く、高効率化や周辺部品の小型化が可能とされる
※2 電気的特性の一つであり、パワー半導体モジュールの動作時においては製品の過電圧故障等に
   つながる特性で低減することが好ましい
※3 パワー半導体モジュールを用いてインバーターを設計する際に、受動部品であるコンデンサと
   パワー半導体モジュールを接続する際に必要な銅板をバスバーと呼称。通常インバーター毎に
   最適化してバスバーを作成する

<お客様からのお問い合わせ先>
三菱電機株式会社 半導体・デバイス第一事業部 事業戦略部
〒100-8310 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号
https://www.MitsubishiElectric.co.jp/semiconductors/powerdevices/contact/

<ウェブサイト>
パワー半導体デバイスウェブサイト
https://www.MitsubishiElectric.co.jp/semiconductors/powerdevices/

プレスリリース提供:PR TIMES

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