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東芝：産業用機器の高効率化・小型化に貢献する1200V/1700V 耐圧SiC MOSFETモジュールの発売について

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2022年01月26日

川崎

（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、産業用機器向けにシリコンカーバイド (SiC) MOSFETチップを搭載したDual SiC MOSFETモジュール2品種、耐圧1200V、ドレイン電流定格600Aの「MG600Q2YMS3」と、耐圧1700V、ドレイン電流定格400Aの「MG400V2YMS3」を製品化し、量産を開始しました。

本プレスリリースではマルチメディアを使用しています。リリースの全文はこちらをご覧ください。：https://www.businesswire.com/news/home/20220125005492/ja/

新製品MG600Q2YMS3とMG400V2YMS3は、当社初の1200V、1700V耐圧の SiC MOSFETモジュールで、先行リリースしたMG800FXF2YMS3と合わせて、耐圧1200V/1700V/3300Vのラインアップとなります。また、一般的なシリコン (Si) IGBTモジュールと同パッケージのため、取り付け互換があります。さらに、一般的なSi IGBTモジュールと比べて低損失特性を実現しており、鉄道車両向けインバーターやコンバーター、再生可能エネルギー発電システムなど産業用機器の高効率化や小型化に貢献します。

応用機器

鉄道車両向けインバーター・コンバーター 再生可能エネルギー発電システム モーター制御機器 高周波絶縁DC-DCコンバーター

新製品の主な特長

一般的なSi IGBTモジュールと取り付け互換のあるパッケージ 一般的なSi IGBTモジュールと比べて低損失特性を実現

MG600Q2YMS3 VDS(on)sense =0.9V (typ.) @ID=600A、Tch=25°C Eon=25mJ (typ.)、Eoff=28mJ (typ.) @VDS=600V、ID=600A、Tch=150°C

MG400V2YMS3 VDS(on)sense=0.8V (typ.) @ID=400A、Tch=25°C Eon=28mJ (typ.)、Eoff=27mJ (typ.) @VDS=900V、ID=400A、Tch=150°C

サーミスター内蔵

新製品の主な仕様

（特に指定のない限り、@TC=25°C)

品番

MG600Q2YMS3

MG400V2YMS3

東芝パッケージ名称

2-153A1A

絶対

最大定格

ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V)

1200

1700

ゲート・ソース間電圧 VGSS (V)

+25/－10

+25/－10

ドレイン電流 (DC) ID (A)

600

400

ドレイン電流 (パルス) IDP (A)

1200

800

チャネル温度 Tch (°C)

150

150

絶縁耐圧 Visol (Vrms)

4000

4000

電気的

特性

ドレイン・ソース間オン電圧 (センス端子)

VDS(on)sense typ. (V)

@VGS =+20 V、

Tch＝25°C

0.9

@ID＝600A

0.8

@ID＝400A

ソース・ドレイン間オン電圧 (センス端子)

VSD(on)sense typ. (V)

@VGS =+20 V、

Tch＝25°C

0.8

@IS＝600A

0.8

@IS＝400A

ソース・ドレイン間オフ電圧 (センス端子)

VSD(off)sense typ. (V)

@VGS =－6 V、

Tch＝25°C

1.6

@IS＝600A

1.6

@IS＝400A

ターンオンスイッチング損失

Eon typ. (mJ)

@Tch=150°C

25

@ VDS=600V、

ID=600A

28

@VDS=900V、

ID=400A

ターンオフスイッチング損失

Eoff typ. (mJ)

@Tch=150°C

28

@ VDS=600V、

ID=600A

27

@VDS=900V、

ID=400A

サーミスター

特性

サーミスター定格抵抗 R typ. (kΩ)

5.0

5.0

サーミスターB定数 B typ. (K)

＠TNTC=25~150°C

3375

3375

新製品の詳細については下記ページをご覧ください。 MG600Q2YMS3 MG400V2YMS3

当社のSiCパワーデバイスについては下記ページをご覧ください。 SiCパワーデバイス

* 社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。 * 本資料に掲載されている情報（製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など）は、発表日現在の情報です。 予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

businesswire.comでソースバージョンを見る：https://www.businesswire.com/news/home/20220125005492/ja/

連絡先

お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
パワーデバイス営業推進部
Tel： 044-548-2216
お問い合わせ先

報道関係の本資料に関するお問い合わせ先：
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢 千秋
Tel: 044-549-8361
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

記事提供：ビジネスワイヤ