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東芝：機器の小型化に貢献する100V耐圧NチャネルパワーMOSFETの発売について

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2023年06月29日

～最新世代プロセスを採用し、低オン抵抗と安全動作領域の拡大を実現～

川崎

（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、データセンターや通信基地局などの産業機器用電源ラインのスイッチング回路、ホットスワップ回路[注1]など向けに、最新世代プロセス「U-MOS X-H (ユー・モス・テン・エイチ)」を採用した、100V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPH3R10AQM」を製品化し、本日から出荷を開始します。

本プレスリリースではマルチメディアを使用しています。リリースの全文はこちらをご覧ください。：https://www.businesswire.com/news/home/20230628364432/ja/

新製品は、ドレイン･ソース間オン抵抗を業界トップクラス[注2]の最大3.1mΩ(VGS=10V)に抑え、従来品の100V耐圧製品「TPH3R70APL」と比べて、約16%低減[注2]しました。また、最新世代プロセス採用により、従来品に対して安全動作領域を76%[注3]拡大し、過渡動作領域での使用にも適しています。オン抵抗の低減と過渡動作領域での動作範囲を拡大することで、並列接続する員数を減らすことができます。さらに、ゲートしきい値電圧範囲を2.5～3.5Vに設定しており、ゲート電圧のノイズによる誤動作を起こりにくくしています。 パッケージは、フットプリントの互換性が高いSOP Advance(N)を採用しました。

当社は今後も、システムの高効率や、信頼性の向上、安定稼働に貢献するパワーMOSFETのラインアップ拡充を推進します。

応用機器

データセンターや通信基地局などの産業機器用電源 高効率DC-DCコンバーターなどのスイッチング電源

新製品の主な特長

業界トップクラス[注2]の低オン抵抗 : RDS(ON)=3.1mΩ (max) (VGS=10V) 安全動作領域が広い チャネル温度定格が高い : Tch (max)=175 °C

[注1] 機器が稼働した状態での回路基板やケーブルの抜き挿し(ホットスワップ)に対応した回路 [注2] 2023年６月現在、当社調べ。 [注3] パルス幅tw=10ms、VDS=48V

新製品の主な仕様

(特に指定のない限り、Ta=25°C)

品番

TPH3R10AQM

絶対最大定格

ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V)

100

ドレイン電流 (DC) ID (A)

Tc=25°C

120

チャネル温度 Tch (°C)

175

電気的特性

ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON)

max (mΩ)

VGS=10V

3.1

VGS=6V

6.0

ゲート入力電荷量 Qg typ. (nC)

83

ゲートスイッチ電荷量 Qsw typ. (nC)

32

出力電荷量 Qoss typ. (nC)

88

入力容量 Ciss typ. (pF)

5180

パッケージ

名称

SOP Advance(N)

サイズ typ. (mm)

4.9×6.1

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新製品の詳細については下記ページをご覧ください。 TPH3R10AQM

当社のMOSFET製品については下記ページをご覧ください。 MOSFET

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* 社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。 * 本資料に掲載されている情報（製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など）は、発表日現在の情報です。 予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

businesswire.comでソースバージョンを見る：https://www.businesswire.com/news/home/20230628364432/ja/

連絡先

お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
パワーデバイス営業推進部
Tel： 044-548-2216
お問い合わせ

報道関係の本資料に関するお問い合わせ先：
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢 千秋
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

記事提供：ビジネスワイヤ