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東芝：車載機器の低消費電力化に貢献する100V耐圧NチャネルパワーMOSFETについて

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2020年02月25日

～最新世代プロセスを採用した「U-MOS X-Hシリーズ」発売～

東京

（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、48V系車載機器のロードスイッチ、スイッチング電源、モーター駆動などに適した100V耐圧NチャネルパワーMOSFET「XK1R9F10QB」を発売しました。１月から量産・出荷を開始しています。

本プレスリリースではマルチメディアを使用しています。リリースの全文はこちらをご覧ください。：https://www.businesswire.com/news/home/20200224005993/ja/

新製品は、当社の最新世代プロセス[注1]を採用したトレンチ構造MOSFETの新シリーズ「U-MOS X-H (ユー・モス・テン・エイチ) シリーズ」初の製品です。低抵抗パッケージのTO-220SM(W)に搭載することにより業界トップクラス[注2]の低オン抵抗を実現しました。最大オン抵抗を1.92mΩに抑え、従来製品「TK160F10N1L」と比べて約20%低減しました。これにより機器の低消費電力化に貢献します。さらに、MOS構造の最適化によりスイッチングノイズが少なく、機器のEMI[注3]の低減に貢献できます。また、しきい値電圧幅を1Vに抑え、並列使用時のスイッチング同期性を高めています。

応用機器 車載機器　(ロードスイッチ、スイッチング電源、モータードライブなど)

新製品の主な特長 ・当社の最新世代プロセス[注1] を採用したトレンチ構造MOSFETの新シリーズ「U-MOS X-H (ユー・モス・テン・エイチ) シリーズ」 ・業界トップクラス[注2]の低オン抵抗 　　RDS(ON)=1.92mΩ (max) ＠VGS=10V ・AEC-Q101適合

新製品の主な仕様

(@Ta=25°C)

品番

極性

絶対最大定格

ドレイン・ソース間

オン抵抗

RDS(ON) max

(mΩ)

チャネル・

ケース間

過渡熱

インピーダンス

Zth(ch-c)

max

(℃/W)

パッケージ

シリーズ

ドレイン・

ソース間

電圧

VDSS

(V)

ドレイン

電流

(DC)

ID

(A)

ドレイン

電流

(パルス)

IDP

(A)

チャネル

温度

Tch

(℃)

@VGS

=6V

@VGS

=10V

XK1R9F10QB

Nチャネル

100

160

480

175

3.31

1.92

0.4

TO-220SM(W)

U-MOS X-H

[注1] 2020年2月25日時点 [注2] 同耐圧の製品、同一パッケージクラスにおいて。当社調べ (2020年2⽉25日時点) によるものです。 [注3] EMI (Electro Magnetic Interference): 電磁妨害

新製品の詳細については、下記ページをご覧ください。 XK1R9F10QB https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/detail.XK1R9F10QB.html

当社の車載MOSFET製品詳細については下記ページをご覧ください。 https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/automotive/automotive-mosfet.html

＊社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。

お客様からの製品に関するお問い合わせ先： パワーデバイス営業推進部 Tel： 03-3457-3933 https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

＊本資料に掲載されている情報（製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など）は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

businesswire.comでソースバージョンを見る：https://www.businesswire.com/news/home/20200224005993/ja/

連絡先

報道関係の本資料に関するお問い合わせ先：
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢千秋
Tel: 03-3457-4963
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

記事提供：ビジネスワイヤ