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キオクシア:第8世代BiCS FLASH™ TLCフラッシュメモリ技術を採用したエンタープライズ向けNVMe™ SSDを発表

2025年05月16日

CBA技術採用で性能と電力効率が向上

東京

(ビジネスワイヤ) -- キオクシア株式会社(以下、キオクシア)は第8世代BiCS FLASH™ 3次元 TLCフラッシュメモリを搭載した初のエンタープライズSSD である、NVMe™エンタープライズSSD「KIOXIA CM9シリーズ」の試作品の参考展示を5月19日から22日までラスベガスで開催されるDell Technologies Worldで行います。

本プレスリリースではマルチメディアを使用しています。リリースの全文はこちらをご覧ください。:https://www.businesswire.com/news/home/20250515727794/ja/

KIOXIA CM9シリーズは、AI、機械学習、ハイパフォーマンスコンピューティングなどのワークロードへの対応を求められている次世代データセンター向けに開発され、先進的な CMOS directly Bonded to Array(CBA)技術を活用した第8世代 BiCS FLASH™ TLC フラッシュメモリ を採用しています。CBA技術は、メモリセルの制御を担うCMOS回路とメモリセルアレイを別々のウエハーで作り込み、メモリセルアレイ側のウエハーを反転させて2枚のウエハーを貼り合わせる技術で、フラッシュメモリの速度向上、高密度化、および消費電力の低減を実現し、SSDの性能向上に貢献します。

KIOXIA CM9シリーズは、前世代機のKIOXIA CM7 シリーズと比較して、ランダムライトで約65%、ランダムリードで約55%、シーケンシャルライトで約95%の性能向上を実現しました。さらに、消費電力1ワットあたりの性能向上も実現しており、シーケンシャルリードで約55%、シーケンシャルライトで約75%の効率改善を達成しています。

エンタープライズSSD「KIOXIA CM9シリーズ」の主な特長(暫定仕様であり、変更される場合があります):

PCIe® 5.0、NVMe™ 2.0、NVMe-MI™ 1.2c、および OCP Datacenter NVMe™ SSD 2.5 準拠 2.5インチおよびE3.S SSDフォームファクター、デュアルポート対応 リードインテンシブ(1 DWPD)およびミックスユース(3 DWPD)の耐久性 シーケンシャル性能(128 KiB/QD32) - リード14.8 GB/s、ライト11 GB/s ランダム性能(4KiB) - 3,400 KIOPS(QD512)および800 KIOPS(QD32) 2.5インチ容量は最大61.44 TB、E3.S容量は最大30.72 TB

 

2.5インチはSSDのフォームファクターを示し、物理的なサイズではありません。 記憶容量: 1 GB (1ギガバイト) =1,000,000,000 (10の9乗) バイト、1 TB (1テラバイト) =1,000,000,000,000 (10の12乗) バイトによる算出値です。しかし、1 GB=1,073,741,824 (2の30乗) バイトによる算出値をドライブ容量として用いるコンピューターオペレーティングシステムでは、記載よりも少ない容量がドライブ容量として表示されます。ドライブ容量は、ファイルサイズ、フォーマット、セッティング、ソフトウェア、オペレーティングシステムおよびその他の要因で変わります。 1 KiB (kibibyte) = 1、024 bytes (2の10乗) Dell は、Dell Inc. またはその関連会社の商標です。 NVMeおよびNVMe-MIは、NVM Express, Inc.の米国またはその他の国における登録商標または商標です。 PCIeは、PCI-SIGの登録商標です。 その他記載されている社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。

問合せ先: 販売推進統括部 Tel: 03-6478-2427 国内特約店

*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容およびお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

連絡先

報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
キオクシア株式会社
営業企画部
進藤智士
Tel: 03-6478-2404

記事提供:ビジネスワイヤ

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