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スピン・トランスファー・テクノロジーズ、業界ベテランのネルソン・チャンを取締役に任命

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2013年10月23日

米カリフォルニア州フリーモント

（ビジネスワイヤ） -- 画期的な垂直スピン注入磁気抵抗ランダムアクセスメモリー技術（OST-MRAM™）を開発するリーダー企業のスピン・トランスファー・テクノロジーズ（STT）は本日、ネルソン・チャンを取締役に任命したと発表しました。

チャンは半導体と消費者向けエレクトロニクスの両業界で長く成功を収めた実績があります。チャンの経歴には、GPSナビゲーション／測位の市場におけるリーダー企業であるマゼランの最高経営責任者（CEO）のほか、ブランド化フラッシュデータストレージ製品の世界最大手サプライヤーであるサンディスクのエグゼクティブバイスプレジデント兼ゼネラルマネジャーとしての役職が含まれます。

STTのCEOを務めるバリー・ホバーマンは、次のように述べています。「半導体メモリー業界でのチャンの奥深く幅広い経験によって、チャンはSTTにとってうってつけの人材です。STTが地歩を固める中で、メモリー製品の販売とマーケティングに関するチャン独自の経験はSTTに非常に大きな価値を付け加えるでしょう。チャンがチームに加わったことを喜ばしく思います。」

チャンはアウターウォールの取締役会長など数多くの取締役としての立場にあり、アフィメトリクスとシナプティクスの取締役も務めています。また、株式非公開企業数社の取締役または取締役会長でもあります。

チャンは次のように述べています。「巨大な市場機会を捉えるために、この新しく画期的なメモリー技術を活用するチームに参加できて胸躍る思いです。STTの垂直スピン注入という手法は、独自であるとともに、他の技術と比較して付加価値があるという点で際立っています。」

チャンはカリフォルニア大学サンタバーバラ校で電気・計算機工学の理学士、サンタクララ大学で経営学修士を取得しています。

スピン・トランスファー・テクノロジーズは、ボストンに拠点を置くアライド・マインズの子会社です。

スピン・トランスファー・テクノロジーズについて

スピン・トランスファー・テクノロジーズは、アライド・マインズとニューヨーク大学が垂直スピン注入磁気抵抗ランダムアクセスメモリー技術（OST-MRAM™）の開発と商用化を目的として設立した企業です。アンドリュー・ケント教授が発明したこの技術は、スピン注入MRAMデバイス分野を揺るがす革新的技術で、スイッチング時間の短縮、消費電力の低減、デバイス製造コストの削減、リソグラフィー領域を縮小する可能性を実現します。詳細については、www.spintransfer.comをご覧ください。

アライド・マインズについて

アライド・マインズは米国の投資会社として、米国の有名大学と連邦政府の研究機関で開発された初期段階の技術をベースにした新興企業の設立・出資・経営・強化を目指してプライベート・エクイティ事業を行っています。アライド・マインズは、多角経営の持ち株会社として投資対象の各社を資本・経営・共有サービスで支援しており、この斬新な完全統合型手法を技術商用化に活用している一流投資会社です。詳細については、www.alliedminds.comをご覧ください。

本記者発表文の公式バージョンはオリジナル言語版です。翻訳言語版は、読者の便宜を図る目的で提供されたものであり、法的効力を持ちません。翻訳言語版を資料としてご利用になる際には、法的効力を有する唯一のバージョンであるオリジナル言語版と照らし合わせて頂くようお願い致します。

連絡先

Spin Transfer Technologies
Kerry Elliott, +1-408-893-8554
pr@spintransfer.com

記事提供：ビジネスワイヤ