ガリウムナイトライド半導体デバイス市場規模、シェア、調査報告書、成長および展望（2025年～2035年）
ＫＤマーケットインサイツ株式会社
KDマーケット・インサイト社は、市場調査報告書『ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場の将来動向と機会分析 - 2025年から2035年』を発表いたしました。本レポートの市場範囲には、現在の市場動向および将来の成長機会に関する情報が含まれており、読者が十分な情報に基づいたビジネス判断を行うことを支援します。本調査報告書では、KDマーケット・インサイトの研究者が一次および二次の分析手法を用いて、市場競争の評価、競合他社のベンチマーク、および市場参入戦略（GTM）の理解を行いました。
世界の窒化ガリウム半導体デバイス市場に関する調査レポートによると、この市場は2025年から2035年の間に22.9%のCAGR（年平均成長率）で成長し、2035年までに192億米ドルの市場規模に達すると予測されています。2024年の市場規模は28億米ドルと推定されています。
ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場規模、シェア、成長要因、セグメンテーション、メーカーおよび将来展望
市場概要
ガリウムナイトライド（GaN）半導体デバイス市場は、高効率・高出力・高周波エレクトロニクスへの世界的な移行によって急速な成長を遂げています。ワイドバンドギャップ材料であるGaNは、従来のシリコン（Si）に比べて優れた電気的特性を持ち、より小型で高速、かつ高エネルギー効率のデバイス開発を可能にします。
サンプルレポートはこちら@
https://www.kdmarketinsights.jp/sample-request/407GaN半導体デバイスは、電力電子、無線周波数（RF）アンプ、5Gインフラ、電気自動車（EV）、再生可能エネルギーシステム、防衛分野などで採用が拡大しています。高電圧・高周波・高温環境での動作を可能にするGaNは、高性能かつ信頼性を重視する次世代電子システムに最適な素材とされています。
市場の拡大は、電動化の進展、5Gネットワークの普及、電動モビリティの台頭といった世界的トレンドによって後押しされています。エネルギー効率と脱炭素化を目指す産業界において、GaN技術は変換効率向上と電力損失低減の実現により、主要な推進要素となっています。
市場規模とシェア
近年、GaN半導体デバイス市場は急拡大しており、特にアジア太平洋地域が中心的な役割を果たしています。日本、韓国、台湾、中国などの主要半導体製造拠点の存在が成長を支えています。なかでも日本は、高度な材料技術と研究開発能力を背景に、GaN関連分野での技術革新と国内半導体供給強化において重要な地位を占めています。
GaNデバイスは電子産業の多様な分野に浸透しており、電源装置、インバータ、充電器などではシリコンデバイスの代替としてGaNトランジスタやダイオードが採用されています。一方、RF GaNデバイスは、5G基地局、レーダー、衛星通信など、高出力かつ高周波特性が求められる分野で広く利用されています。
スマートフォンやノートPC、EV向けの急速充電器市場の拡大により、GaNパワーデバイスは主流技術として急速に普及しています。また、GaN-on-SiC（シリコンカーバイド）構造の研究開発が進み、熱伝導性と信頼性の向上が期待されています。
成長要因
高効率パワーデバイスへの需要増加 - GaNはスイッチング損失を削減し、電力変換効率を大幅に向上。
5Gインフラ拡大 - 高周波・高出力通信向けRF GaNアンプの需要増大。
電気自動車（EV）の普及 - EV電力変換および急速充電向けコンパクトなGaNソリューション。
電子機器の小型化 - コンパクト充電器やワイヤレス給電装置での採用拡大。
防衛・航空宇宙分野の成長 - レーダー、衛星通信、電子戦システムでのGaN技術活用。
再生可能エネルギー統合 - 太陽光発電・風力発電向けインバータでの高効率化。
優れた熱効率と耐久性 - 高電圧・高温環境での動作が可能。
政府支援と半導体投資拡大 - 日本、米国、欧州による化合物半導体研究支援強化。
市場セグメンテーション
デバイスタイプ別：
パワーデバイス
RFデバイス
光電子デバイス
コンポーネント別：
トランジスタ（HEMT、MOSFET）
ダイオード（ショットキー、PIN）
集積回路（IC）
用途別：
コンシューマーエレクトロニクス
自動車・電気自動車
通信
産業・エネルギー
航空宇宙・防衛
エンドユーザー別：
OEM企業
ファウンドリ・IDM
研究機関
この中で、パワーデバイスは電源装置、再生可能エネルギーシステム、EV分野で広く採用され市場を牽引しています。一方、RF GaNデバイスは5Gおよび衛星通信インフラでの利用拡大により急成長しています。
主なメーカーおよび市場参加企業
GaN半導体デバイス市場は、戦略的提携、研究開発投資、生産能力拡大を進める主要企業によって形成されています。主な企業は以下の通りです：
Infineon Technologies AG（ドイツ） - 産業用および車載用GaNパワートランジスタを提供。
GaN Systems Inc.（カナダ） - 高性能GaNパワーデバイスのリーディング企業。
EPC（Efficient Power Conversion）社（米国） - エンハンスメントモードGaNトランジスタの先駆者。
Texas Instruments Inc.（米国） - GaNベースの電力変換・制御システムを提供。
STMicroelectronics（スイス） - 高出力用途向けGaN-on-Siソリューションを展開。
NXP Semiconductors（オランダ） - レーダー・通信向けGaN RFデバイスのリーダー。
ローム株式会社（日本） - 車載および省エネ分野向けGaNパワーデバイス開発を推進。
株式会社東芝 - 高周波および電力スイッチング用GaN HEMTを開発。
三菱電機株式会社 - 衛星通信・防衛用途のGaN RFトランジスタを提供。
住友電気工業株式会社 - GaN-on-SiCウエハおよびRFデバイスの主要供給企業。
また、古河電気工業、パナソニックホールディングス、日立パワーセミコンダクタデバイスなども、GaNウエハ技術と先端材料研究に積極投資しており、日本のGaNエコシステム強化に寄与しています。
調査レポートはこちら@
https://www.kdmarketinsights.jp/report-analysis/gallium-nitride-gan-semiconductor-device-market/407将来展望
ガリウムナイトライド半導体デバイス市場の将来は極めて明るく、高性能・高効率・小型化を求める世界的なトレンドに支えられています。電動モビリティ、5G通信、再生可能エネルギーの拡大がGaN技術の長期需要を牽引する見込みです。
主な新興トレンド：
GaNとSiCおよびAI技術の融合によるスマート電力管理の実現。
EV充電・インバータ向けGaN車載プラットフォームの拡大。
低コスト・量産性に優れるGaN-on-Silicon製造の進展。
コンシューマーおよび産業向け超高速GaN充電器の普及。
日本、米国、欧州による化合物半導体研究開発支援の強化。
結論：
ガリウムナイトライド半導体デバイス市場は、技術革新、エネルギー効率化、幅広い産業応用によって持続的な成長が見込まれます。GaNは今後、シリコンを代替し、高出力・高周波エレクトロニクスの中核素材として、次世代のエネルギー効率社会を支える基盤技術となるでしょう。
配信元企業：ＫＤマーケットインサイツ株式会社
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記事提供：DreamNews
