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東芝：業界トップクラスの低オン抵抗を実現した40V 耐圧パワーMOSFET「U-MOS IX-Hシリーズ」の発売について

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2014年11月04日

東京

（ビジネスワイヤ） -- 株式会社東芝 セミコンダクター＆ストレージ社は、第IX世代高速プロセスを採用した40V耐圧パワーMOSFET「U-MOS IX-Hシリーズ」を製品化し、本日から出荷を開始します。当社従来の第VI世代プロセス製品に比べてオン抵抗（RDS(ON)）を76%低減し、業界トップクラス［注１］の低オン抵抗を実現しました。また、スイッチング電源のさらなる高効率化に向けてQoss［注２］の増加も抑えています。

［注１］2014年11月4日現在。東芝調べ。［注２］Qoss：出力電荷量（ドレイン－ソース間電荷量）

■主な特長・業界トップクラスの低オン抵抗： 0.85mΩ(max)・業界トップクラスのRDS(ON)・Qoss ：60mΩ・nC

■アプリケーションサーバ・通信基地局向けなどの高効率スイッチング電源

 

■新製品の主な仕様

品番   パッケージ   VDSS (V)   RDS(ON)

MAX (mΩ)

at VGS=10V

  Ciss

Typ.

(pF)

  Qoss

Typ.

(nC)

TPHR8504PL   SOP Advance   40   0.85   7370   85.4  

当社MOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。http://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先：パワーデバイス営業推進部Tel: 03-3457-3933

＊本資料に掲載されている情報（製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など）は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

Photos/Multimedia Gallery Available: http://www.businesswire.com/multimedia/home/20141104005452/ja/

連絡先

報道関係の本資料に関するお問い合わせ先：
東芝セミコンダクター＆ストレージ社
高畑浩二
Tel: 03-3457-4963
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

記事提供：ビジネスワイヤ