NTT-AT、「USB小型急速充電器」の軽量・薄型新モデルを販売開始
NTTアドバンステクノロジ株式会社
NTTアドバンステクノロジ株式会社（以下：NTT-AT、本社：東京都新宿区、代表取締役社長：伊東 匡）は、環境・エネルギー関連製品のラインナップとして、次世代半導体技術を活用した「USB小型急速充電器」に新モデル『GC065US110SW』（以下：本製品）を追加し、2025年11月26日から販売を開始します。
本製品は、NTT-ATが独自に開発した窒化ガリウム（GaN）エピタキシャルウェハ製FET*1を搭載し、最大65Wの高出力に対応しながら、従来品の約2/3の87gという軽さと、サイズ約15×46×85mmという薄型設計を実現しました。
1. 本製品の主な特長
・軽さ（87g）と薄さ（約15×46×85mm）の追求
従来比で約2/3の軽さ（約33％軽量化）を達成。持ち運びに最適なスリムデザインです。
・高出力対応（最大65W）
USB-Cポート単独使用時に最大65W、USB-Aとの同時使用時でも合計最大57Wの出力を確保します。
・2ポート搭載（USB-A×1、USB-C×1）
スマートフォン・タブレット・ノートPCなど複数機器の同時充電が可能です。
PSE・ETL認証取得済みです。AC100～240V対応の折り畳み式AC2極プラグを採用しています。
海外プラグ対応オプションとして、3種類（BF・O・Cタイプ）の変換プラグアダプタ付きのタイプもご用意しています。変換プラグはスライド式でしっかりと本体に固定され、安心してご利用いただけます。
[画像1:
https://prcdn.freetls.fastly.net/release_image/23654/358/23654-358-8e15221c873ac5a6b60062b81f2f5ba7-3900x1536.jpg?width=536&quality=85%2C75&format=jpeg&auto=webp&fit=bounds&bg-color=fff ]
左：充電器本体ロゴ入りバージョン 右：充電器本体
[画像2:
https://prcdn.freetls.fastly.net/release_image/23654/358/23654-358-740aeafc6e0176a27235cbac8a84fe23-3900x2199.jpg?width=536&quality=85%2C75&format=jpeg&auto=webp&fit=bounds&bg-color=fff ]
充電器本体とオプションの変換プラグアダプタ
[画像3:
https://prcdn.freetls.fastly.net/release_image/23654/358/23654-358-06e2c37f04ce0085f26b73a3742af20d-2208x1472.jpg?width=536&quality=85%2C75&format=jpeg&auto=webp&fit=bounds&bg-color=fff ]
プラグを立てた状態
[画像4:
https://prcdn.freetls.fastly.net/release_image/23654/358/23654-358-d479066d19e1ff5480e0884c0cc4441d-2208x1472.jpg?width=536&quality=85%2C75&format=jpeg&auto=webp&fit=bounds&bg-color=fff ]
変換プラグアダプタを装着した状態
2. 製品仕様（GC065US110SW）
[表:
https://prtimes.jp/data/corp/23654/table/358_1_87d47e186c76f1966d7b594687739732.jpg?v=202511250816 ]
3. 販売開始
2025年11月26日
4. 販売価格
製品HPからお問い合わせください
https://keytech.ntt-at.com/environ/prd_4030.html
5. NTT-ATのGaN
本製品は、環境負荷低減と利便性を両立した次世代充電ソリューションのひとつです。ビジネス・旅行・日常利用など幅広いシーンで活躍します。
GaNを用いたパワーエレクトロニクス向けトランジスタは、現在、広く使用されているシリコンを用いたトランジスタの性能を大きく超えています。高出力・高耐圧・高周波で、しかも低損失の動作が可能であり、今後、ますます求められる低炭素社会を支えるクリーンデバイスとしての役割が期待されています。
NTT-ATでは、かねてより窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造と販売を手掛け、面内均一性の高い高品質なエピタキシャルウェハを提供してきました。省電力化が進むなか、今回の軽量・薄型を実現したUSB小型急速充電器をはじめとして、GaN-HEMTを搭載した製品ラインナップをさらに拡充し、次世代の充電ソリューションをお届けします。
6. 本製品に関する詳細情報
https://keytech.ntt-at.com/environ/prd_4030.html
*1 FET：電界効果トランジスタ（Field effect transistor）
半導体の内部に生じる電界によって電流を制御する方式のトランジスタ
プレスリリース提供：PR TIMES
記事提供：PRTimes
