10月21日（水）AndTech WEBオンライン「半導体CMP技術におけるトラブルシューティングと後工程への展開 ～研磨パッド・スラリー・後洗浄ハイブリッドボンディングまで～」Zoom講座を開講予定
AndTech
ETSC -Engineer Technical Support Company- 代表 奥山 林明 氏（元マイクロンメモリジャパン様などをご歴任）にご講演をいただきます。
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株式会社AndTech（本社：神奈川県川崎市、代表取締役社長：陶山 正夫、以下 AndTech）は、R&D開発支援向けZoom講座の一環として、半導体CMPの量産工程におけるトラブルシューティングや、3D実装・ハイブリッドボンディングなど後工程へのCMP技術の展開に関するニーズに応えるべく、「半導体CMP技術」講座を開講いたします。
CMPの基礎と量産ラインでの位置づけから、研磨パッド・スラリー・終点検知（EPD）の管理、膜厚ばらつき、ディッシング／エロージョン、スクラッチ、研磨レート変動などのトラブル発生時における原因切り分けの考え方までを解説します。さらに、CMP後洗浄、PVAブラシ、ゼータ電位、3D実装・ハイブリッドボンディング向けCMPまで取り上げ、量産現場で必要となる実践的な判断の手順について講演します。
本講座は、2026年10月21日開講を予定いたします。
詳細：
https://andtech.co.jp/seminars/1f1aec21-0e24-6c52-a1c5-064fb9a95405
Live配信・WEBセミナー講習会 概要
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テーマ：半導体CMP技術におけるトラブルシューティングと後工程への展開
～研磨パッド・スラリー・終点検知の管理から後洗浄、ハイブリッドボンディングまで～
開催日時：2026年10月21日（水）13:30-16:30
参加費：50,600円（税込） ※テキスト費用を含む
URL：
https://andtech.co.jp/seminars/1f1aec21-0e24-6c52-a1c5-064fb9a95405
WEB配信形式：Zoom（お申し込み後、URLを送付）
セミナー講習会内容構成
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ープログラム・講師ー
ETSC -Engineer Technical Support Company- 代表 奥山 林明 氏
本セミナーで学べる知識や解決できる技術課題
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１. CMPの原理と、量産ラインで実際に管理されている項目
２. 膜厚ばらつき、ディッシング／エロージョン、スクラッチ、研磨レート変動が起きた際の原因切り分けの手順
３. 研磨パッド、スラリー、終点検知（EPD）それぞれの管理ポイントと、劣化時に現れる症状
４. CMP後洗浄で何を除去しているのか、PVAブラシとゼータ電位の関係
５. ハイブリッドボンディング向けCMPと前工程CMPとの違い
本セミナーの受講形式
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WEB会議ツール「Zoom」を使ったライブLive配信セミナーとなります。
詳細は、お申し込み後お伝えいたします。
株式会社AndTechについて
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弊社は一流の講師陣をそろえ、「技術講習会・セミナー」に始まり「講師派遣」「出版」「コンサルタント派遣」
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株式会社AndTech 技術講習会一覧
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経験実績豊富な専門性の高い技術コンサルタントを派遣します。
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本件に関するお問い合わせ
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株式会社AndTech 広報PR担当 青木
メールアドレス：pr●andtech.co.jp（●を@に変更しご連絡ください）
下記プログラム全項目（詳細が気になる方は是非ご覧ください）
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【講演主旨】
半導体の微細化は、ウェハ表面をどれだけ平らにできるかに支えられており、その役割を担うのがCMP（化学機械研磨）です。しかし現場では、狙いどおりに削れない、面内でばらつく、傷が残るといった問題が日常的に起こり、原因はパッド・スラリー・装置・洗浄のどこにでも潜んでいます。
本講座では、DRAM量産ラインでCMPと洗浄の設備を担当してきた立場から、異常が出たときに何をどの順番で確認するのかを、現場の手順に沿って解説します。さらにCMP後洗浄の役割と、三次元実装で重要性の増すハイブリッドボンディング向けCMPまでを扱います。専門とされない方にも、なぜこの工程が難しいのかが伝わる内容を目指します。
【プログラム】
1．CMPの基礎と量産ラインでの位置づけ
1-1 なぜ平坦化が必要か ― 微細化と焦点深度
1-2 CMPの原理（化学作用と機械作用）と主要な構成要素
1-3 量産ラインにおけるCMP工程の流れ
2．消耗品と装置の管理
2-1 研磨パッド ― 種類、コンディショニング、寿命の判定
2-2 スラリー ― 組成、供給系、経時変化と管理項目
2-3 リテーナリング／キャリア ― 面内均一性への影響
2-4 終点検知（EPD）― 方式と、検知が外れるとき
3．トラブルシューティング ― 症状から原因へ
3-1 膜厚ばらつき ― 面内・ウェハ間・ロット間の切り分け
3-2 ディッシング／エロージョン ― パターン密度で膜厚差が出る理由
3-3 スクラッチ・欠陥 ― 発生源の推定と対策
3-4 研磨レート変動 ― 装置起因かプロセス起因かの判別
3-5 症状から原因部品へ ― 現場での確認順序と、切り分けを誤りやすい例
4．CMP後洗浄
4-1 なぜCMPの後に洗浄が必要か ― 残留スラリーと金属汚染
4-2 洗浄方式とPVAブラシの役割
4-3 ゼータ電位から見た再付着の抑制
4-4 ブラシの管理と交換の考え方
5．後工程への展開 ― ハイブリッドボンディング向けCMP
5-1 三次元実装とハイブリッドボンディング ― なぜCMPが接合の成否を決めるのか
5-2 接合面に求められる平坦性 ― 前工程CMPとのディッシング要求の差
5-3 装置を使う側から見た課題
【質疑応答】
【講演ポイント】
DRAM量産ファブでCMPと洗浄の設備を担当し、起きたトラブルを現場で収束させてきた立場から解説する。原理にとどまらず、症状から何をどの順で確認し、どこを直せば止まるのかという判断の手順を持ち帰っていただける。
＊ 本ニュースリリースに記載された商品・サービス名は各社の商標または登録商標です。
＊ 本ニュースリリースに記載された内容は発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。
キーワード
半導体CMP、CMP、化学機械研磨、CMPスラリー、研磨パッド、終点検知、EPD、CMP後洗浄、ハイブリッドボンディング、3D実装、ディッシング、エロージョン、スクラッチ、半導体製造、先端パッケージ、セミナー
以 上
プレスリリース提供：PR TIMES
記事提供：PRTimes
