GaNおよびSiCパワー半導体の世界市場、2030年に54億5,000万ドル規模へ 年平均成長率24.0%で急拡大
The Business research company
電気自動車の普及と急速充電インフラの整備がワイドバンドギャップ半導体需要を牽引
市場調査会社The Business Research Companyは、最新の調査レポート「GaNおよびSiCパワー半導体 世界市場レポート2026」を発表しました。本レポートによると、同市場規模は2030年までに54億5,000万ドルに達する見通しです。
市場規模と成長予測
GaN（窒化ガリウム）およびSiC（炭化ケイ素）パワー半導体の世界市場は近年急速に拡大しており、2025年の18億5,000万ドルから2026年には23億1,000万ドルへと、年平均成長率（CAGR）24.3%で成長する見込みです。これまでの成長は、パワーエレクトロニクスの初期導入、産業用モータードライブの拡大、再生可能エネルギー向けインバーターでの利用増加、シリコンベースのスイッチングデバイスへの依存、およびハイブリッド車における初期採用を背景としています。
予測期間においても市場は極めて高い成長率を維持し、2030年には54億5,000万ドル、年平均成長率24.0%に達すると予測されます。この成長は、電気自動車需要の拡大、急速充電インフラの導入進展、高効率太陽光インバーターの普及、産業オートメーション向けパワーモジュールの成長、および次世代ワイドバンドギャップ半導体材料の開発によって支えられます。
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電気自動車の採用拡大が市場成長の中心的な要因です。GaNおよびSiCパワー半導体は、高効率なパワートランジスタおよび集積回路に用いられます。特にSiCは、シリコンと比較して絶縁破壊電界強度に優れ、バンドギャップが広いという物性上の利点を有しており、高電圧・高温環境での動作に適しています。この特性が、電動パワートレインおよび充電システムにおける採用を後押ししています。
国際エネルギー機関（IEA）が2024年に公表した資料によると、各国政府の施策を背景にエネルギー効率化投資は16%増の6,000億ドルに達しました。電気自動車の販売は世界の自動車販売台数の14%を占めています。
市場トレンド：高効率ワイドバンドギャップデバイスとインテリジェント電力変換
予測期間における主要トレンドとして、高効率ワイドバンドギャップパワーデバイスの採用拡大が挙げられます。このほか、インテリジェント電力変換プラットフォームの拡張、モノのインターネット（IoT）を活用した半導体モニタリングの進展、人工知能を用いた電力管理の高度化、およびクラウド接続型パワーエレクトロニクスの統合も進んでいます。
製品面では技術革新が続いており、2025年にはNavitas Semiconductor Corporationが650V双方向GaNFastパワー集積回路を発表しています。
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記事提供：DreamNews
