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SiCパワー半導体市場に新規参入

株式会社タイワン・セミコンダクター・ジャパン

SiCパワー半導体市場に新規参入

世界最小パッケージのSiCショットキーバリアダイオードを販売開始


高品質かつ高効率なディスクリート半導体やアナログ半導体を開発・製造・販売するタイワン・セミコンダクター(所在地:本社-台湾新北市、日本法人-東京都千代田区、本社CEO:アーサー・ワン、略称:TSC)は、このたび、グローバルでの製品ポートフォリオを拡大し、SiCパワー半導体市場に新たに参入します。参入にあわせて本日より、1200V耐圧製品としては世界最小パッケージとなるSiCショットキーバリアダイオード製品群(以下 本製品)を日本で販売開始します。

EV市場が活発になる中、トラクションインバーターと呼ばれるEVのモーター駆動回路を構成する重要部品として、従来のSi(シリコン)ベースに代わってSiC(炭化ケイ素)パワー半導体の採用が加速しています。それに伴い近年、質の高いSiCパワー半導体の安定供給が自動車関連メーカーから求められており、これに対応するためタイワン・セミコンダクターはSiCパワー半導体市場に参入することを決定しました。

本製品の一部のバージョンでは、SOD-128(3.8x2.5x1.0mm)パッケージを採用し、1200V耐圧のSiCショットキーバリアダイオードとしては世界最小サイズです。さらに、従来型のタイワン・セミコンダクターのパッケージから沿面距離を見直し(例:SOD-128で3.2mm、SMBで2.6mm)、十分な距離を確保することで、優れた電気的絶縁特性も実現しています。SiCショットキーバリアダイオードは、SiC MOSFETで回路構成されるインバーターにおいてブートストラップおよび非飽和保護回路に採用されます。走行距離の延長や重量の軽減といったEVの課題に対応するため、高効率なSiCショットキーバリアダイオードの小型パッケージは設計の自由度や基板の小型化に寄与します。

また、本製品はPIN構造とショットキー構造を統合したMPS構造を採用し、高い正方向サージ電流耐量、低い正方向電圧降下、低い漏れ電流、低い容量電荷を実現しています。これらの特性により、高周波や高電圧のアプリケーションにおいて効率と信頼性が向上します。耐熱性においては、車載電子部品の信頼性規格「AEC-Q101」に準拠しており、厳しい熱環境への適合性が求められる用途でも利用可能です。

タイワン・セミコンダクターは1979年に台湾に本社を設立し、ダイオードからMOSFET、小信号デバイス、LDOレギュレータ、アナログICまで幅広く製品を展開するメーカーです。45年以上にわたり培った高い品質と安定した製品供給に強みを持ち、幅広い製品ラインナップをグローバルに展開します。日本市場においては、2003年に日本法人の株式会社タイワン・セミコンダクター・ジャパンを設立しました。

タイワン・セミコンダクターでプロダクトマーケティング担当バイスプレジデントを務めるサム・ワンは、次のようにコメントしています。「パワー半導体の高効率化とSiCの採用が進む中、回路構成におけるSiCパワー半導体の存在が重要になります。このタイミングで、高効率かつ小型パッケージのSiCパワー半導体を弊社の製品ポートフォリオに新たに加え、日本を含むグローバルのお客様の幅広いニーズと期待に応えられることをとても嬉しく思います。EVなどのバッテリーコスト、走行距離、車両重量といった課題への対応が求められるSiCトラクションインバーター回路には、弊社のSiCショットキーバリアダイオードが、性能、サイズ、コストにおいて最適かつタイムリーな提案となることを信じています。」

本製品の製品概要とスペックはこちらで確認できます。


タイワン・セミコンダクターについて
タイワン・セミコンダクターは1979年に台湾に本社を設立し、ダイオードからMOSFET、小信号デバイス、LDOレギュレータ、アナログICまで幅広く製品を開発・製造・販売するメーカーです。45年以上にわたり培った高い品質と安定した製品供給に強みを持ち、幅広い製品ラインナップでグローバル市場での競争力を築いています。車載機器・産業機器・サーバー電源など、高い信頼性が求められる分野でタイワン・セミコンダクターの製品が選ばれています。詳細は https://www.taiwansemi.com/ja/ およびYouTubeLinkedInXで確認できます。

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DO-214AA (SMB)


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SOD-128


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TO-220AC-2L


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TO-247-2L



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TO-247-3L


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プレスリリース提供:PR TIMES

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