テクノフロンティア2026展に出展します
Patentix株式会社
～次世代パワー半導体素材、ルチル型二酸化ゲルマニウム「r-GeO2」の開発状況を展示～
2026年７月6日
Patentix株式会社（本社：滋賀県草津市、代表取締役社長：衣斐豊祐、以下「Patentix」）は、2026年7月15日（水）～17日（金）までの３日間、東京ビッグサイトで開催される「テクノフロンティア2026 パワーエレクトロ二クス技術展」に出展します。本展示会では、パワーデバイス、電子部品、モジュールから応用機器、設計・製造にかかわる技術が一同に会します。Patentixでは、次世代パワー半導体素材であるルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）に関わる開発状況の紹介と世界初※となる６インチGeO2 on Si 基板のサンプルを展示いたします。
※自社調べ（2026年6月、Google Scholar等を利用して実施した文献調査による）
近年、生成AIの急速な普及により、データセンターでは膨大な電力消費と、それによって発生する莫大な熱の冷却という相反する問題を抱えています。電力の変換ロスの低減を目的として、サーバラックに供給される電源電圧の高電圧化（DC800V）の開発が進んでおり、電源回路に用いられるパワー半導体の高耐圧化、および更なる高効率化が求められています。このような状況を背景に、データセンターでもSiCデバイス、GaNデバイスといったワイドバンドギャップ半導体の普及が進む一方で、次の新規半導体材料への期待も高くなっています。
テクノフロンティアでは、「次世代パワー半導体材料であるルチル型二酸化ゲルマニウムの社会実装」をテーマに、素材の可能性・優位性について幅広く展示します。特に、６インチのGeO2 on Si基板の展示は「世界初」※となり、ぜひ多くの方に弊社の開発状況を御覧になって頂ければと思います。更には、GeO2チップをTO247パッケージに実装したデバイスサンプル（シーマ電子様ご提供）の展示も予定しております。また、今後の開発予定につきましてもご紹介いたします。
※自社調べ（2026年6月、Google Scholar等を利用して実施した文献調査による）
当社ブースへのご来場を心よりお待ちしております。尚、当社ブースは1P29となります。
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図：（左）世界初※となる6インチGeO2 on Si基板のサンプル、（右）TO247パッケージに実装されたGeO2デバイスのサンプル
【本プレスリリースに関する報道関係者からのお問い合わせ先】
Patentix株式会社 広報担当：樋口 典子
E-mail: info@patentix.co.jp
電話番号：077-599-1558
プレスリリース提供：PR TIMES
記事提供：PRTimes
