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『びわこ半導体構想 技報』創刊号 発行のお知らせ

Patentix株式会社

『びわこ半導体構想 技報』創刊号 発行のお知らせ

― 産学官連携オープンイノベーション拠点「びわこ半導体構想」事務局第一弾取り組み ―


                                       2026年8月6日

Patentix株式会社(滋賀県草津市、代表取締役:衣斐 豊祐、以下「Patentix」)は、2026年5月に発足した産学官連携オープンイノベーション拠点「びわこ半導体構想」の最初の取り組みとして、『びわこ半導体構想 技報』創刊号を発行いたしました。
本技報では、Patentixが取り組む次世代パワー半導体材料「ルチル型二酸化ゲルマニウム(r-GeO2)」について、開発の背景や最新の技術成果、今後の社会実装に向けた取り組みを紹介しています。

『びわこ半導体構想 技報』創刊号の内容

・開発の背景: 脱炭素化やエネルギー危機の中で求められる新材料パワー半導体の役割と、r-GeO2が      持つ物理的優位性(高耐圧・低ON抵抗・pn両伝導性)を解説

・最新の研究成果: 世界初となる「6インチSi基板上へのr-GeO2単結晶膜成膜(GeO2 on Si)」の成功、p型伝導性の実証に向けた検証、高耐圧SBDやMOSFETの動作実証成果。

・社会実装へのロードマップ: 量産化を見据えた「ヘテロエピ基板(GeO2 on Si)」「転写基板」「バルク基板(ミニマルファブ対応)」の3大開発ターゲットによる展開戦略

・オープンイノベーションの推進: 参画機関・支援機関との連携によるサプライチェーン構築と、「びわこ半導体構想」を通じたオープンイノベーション戦略

※本技報の発行は、小規模事業者持続化補助金を活用して実施しております。

Patentixは今後も「びわこ半導体構想」を通じて参画企業・機関との連携を深め、次世代パワー半導体の早期実用化と社会課題の解決に貢献してまいります。

[画像: https://prcdn.freetls.fastly.net/release_image/128234/34/128234-34-7047e685b2a86bbe38418d791665a8fb-1299x1837.jpg?width=536&quality=85%2C75&format=jpeg&auto=webp&fit=bounds&bg-color=fff ]


【本プレスリリースおよび技報に関するお問い合わせ先】
びわこ半導体構想事務局
所在地:〒525-8577 滋賀県草津市野路東1丁目1番1号
立命館大学BKCインキュベータ Patentix株式会社内
E-mail:semi.biwako@patentix.co.jp
Webサイト:https://www.biwakosemiconductor.org

プレスリリース提供:PR TIMES

記事提供:PRTimes

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