2023年07月13日
川崎
(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、産業用機器向けに最新[注1]の第3世代シリコンカーバイド (SiC) ショットキーバリアダイオード (SBD) 「TRSxxx65Hシリーズ」を発売しました。第3世代SiC SBDの第一弾として、650V耐圧のTO-220-2Lパッケージ品7種およびDFN8×8パッケージ品5種、全12製品の出荷を本日から開始します。
本プレスリリースではマルチメディアを使用しています。リリースの全文はこちらをご覧ください。:https://www.businesswire.com/news/home/20230712927513/ja/
新製品は、新規のショットキーメタルを採用し、第2世代製品のジャンクションバリアショットキー (JBS)構造[注2]を最適化した第3世代SiC SBDチップを搭載しています。これにより、第3世代製品では、業界トップクラス[注3]の低い順方向電圧1.2V (Typ.) を実現し、第2世代製品の順方向電圧1.45V (Typ.) と比べて約17%低減しました。また、第2世代製品と比べて、順方向電圧と総電荷量のトレードオフおよび順方向電圧と逆電流のトレードオフを改善しています。これにより、損失を低減し、機器の高効率化に貢献します。
[注1] 2023年7月現在、当社最新。 [注2] JBS構造 : ショットキー界面の電界が下がり、リーク電流を低減できる構造。 [注3] 2023年7月現在、当社調べ。
応用機器
スイッチング電源 EV充電スタンド 太陽光発電用インバーター新製品の主な特長
業界トップクラス[注3]の低い順方向電圧:VF=1.2V (Typ.) (IF=IF(DC)) 低い逆電流: TRS6E65Hの場合 IR=1.1μA (Typ.) (VR=650V) 低い総電荷量: TRS6E65Hの場合 QC=17nC (Typ.) (VR=400V、f=1MHz)■新製品の主な仕様
(特に指定のない限り、Ta=25°C)
品番
パッケージ
絶対最大定格
電気的特性
在庫検索
&
Web
少量購入
繰り返し
ピーク
逆電圧
VRRM
(V)
直流
順電流
IF(DC)
(A)
非繰り返し
ピーク順電流
IFSM
(A)
順電圧
(パルス
測定)
VF
(V)
逆電流
(パルス
測定)
IR
(μA)
端子間
容量
Ct
(pF)
総電
荷量
QC
(nC)
温度
条件
Tc
(°C)
f=50Hz
(正弦半波、
t=10ms)、
Tc=25°C
矩形波、
t=10μs、
Tc=25°C
IF=IF(DC)
VR=650V
VR=400V、
f=1MHz
Typ.
Typ.
Typ.
Typ.
TO-220-2L
650
2
164
19
120
1.2
0.2
10
6.5
3
161
28
170
0.4
14
9
4
158
36
230
0.6
17
12
6
153
41
310
1.1
24
17
8
149
56
410
1.5
31
22
10
148
62
510
2.0
38
27
12
148
74
640
2.4
46
33
DFN8×8
4
155
28
230
0.6
17
12
6
151
41
310
1.1
24
17
8
148
45
410
1.5
31
22
10
145
54
510
2.0
38
27
12
142
60
640
2.4
46
33
新製品の詳細については下記ページをご覧ください。 TRS2E65H TRS3E65H TRS4E65H TRS6E65H TRS8E65H TRS10E65H TRS12E65H TRS4V65H TRS6V65H TRS8V65H TRS10V65H TRS12V65H
当社のSiCショットキーバリアダイオード製品の詳細については下記ページをご覧ください。 SiCショットキーバリアダイオード
オンラインディストリビューターが保有する当社製品の在庫照会および購入は下記をご覧ください。 TRS2E65H Buy Online
TRS3E65H Buy Online
TRS4E65H Buy Online
TRS6E65H Buy Online
TRS8E65H Buy Online
TRS10E65H Buy Online
TRS12E65H Buy Online
TRS4V65H Buy Online
TRS6V65H Buy Online
TRS8V65H Buy Online
TRS10V65H Buy Online
TRS12V65H Buy Online
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長沢 千秋
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