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東芝：電源の高効率化に貢献する600V耐圧のスーパージャンクション構造N-chパワーMOSFET発売について

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2023年06月13日

川崎

（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、データセンターやスイッチング電源、太陽光発電パワーコンディショナーなどに適した、スーパージャンクション構造の最新世代プロセス[注1]を採用したNチャネルパワーMOSFET「DTMOSVI（ディーティーモスシックス)シリーズ」に、600V耐圧の新製品を追加しました。新製品の「TK055U60Z1」は、DTMOSVIシリーズでは初の600V耐圧製品です。本日から出荷を開始します。

本プレスリリースではマルチメディアを使用しています。リリースの全文はこちらをご覧ください。：https://www.businesswire.com/news/home/20230612958919/ja/

600V耐圧のDTMOSVIシリーズは、ゲートデザインおよびプロセスの最適化により、同耐圧の当社既存世代DTMOSIV-H (ディーティーモスフォーエイチ) シリーズと比べて、単位面積あたりのドレイン・ソース間オン抵抗を約13%低減し、性能指数の「ドレイン・ソース間オン抵抗 × ゲート・ドレイン間電荷量」を約52%低減しています。これにより、DTMOSVIシリーズは、低導通損失及び低スイッチング損失の両立を実現し、スイッチング電源の高効率化に貢献します。

パッケージは、ゲートドライブ用の信号ソース端子をケルビン接続できるTOLLを採用しました。これにより、パッケージ内部のソースワイヤのインダクタンスによるスイッチングへの影響を低減することが可能となりMOSFETの高速スイッチング性能を引き出し、スイッチング時の発振を抑制します。

当社は、先行リリースの650V耐圧のDTMOSVIシリーズと併せて、今後も600V耐圧のDTMOSVIシリーズのラインアップを拡充します。これにより、スイッチング電源などの電力損失を低減し、省エネルギー化に貢献します。

[注1] 2023年6月現在。

応用機器

データセンター（サーバーのスイッチング電源など） 太陽光発電パワーコンディショナー 無停電電源装置

新製品の主な特長

低いドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量を実現し、スイッチング電源の高効率化が可能

新製品の主な仕様

(特に指定のない限り、Ta = 25°C)

品番

TK055U60Z1

絶対最大定格

ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V)

600

ドレイン電流 (DC) ID (A)

40

チャネル温度 Tch (°C)

150

電気的特性

ドレイン・ソース間オン抵抗

RDS(ON) (mΩ)

VGS = 10 V

max

55

ゲート入力電荷量 Qg (nC)

typ.

65

ゲート・ドレイン間電荷量 Qgd (nC)

typ.

15

入力容量 Ciss (pF)

typ.

3680

パッケージ

名称

TOLL

サイズ (mm)

typ.

9.9 × 11.68、

t = 2.3

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新製品の詳細については下記ページをご覧ください。 TK055U60Z1

当社のMOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。 MOSFET

オンラインディストリビューターが保有する当社製品の在庫照会および購入は下記をご覧ください。 TK055U60Z1 Buy Online

※社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。 ※本資料に掲載されている情報（製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など）は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

businesswire.comでソースバージョンを見る：https://www.businesswire.com/news/home/20230612958919/ja/

連絡先

お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
パワーデバイス営業推進部
Tel: 044-548-2216
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東芝デバイス＆ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢 千秋
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

記事提供：ビジネスワイヤ