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東芝デバイス&ストレージ(株):業界最小クラスパッケージのモバイル、コンシューマ機器向けNch MOSFETドライバICの発売について

2017年09月28日

東京

(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、最大28Vまでの入力動作電圧に対応することで、急速充電などの大電流供給が必要な用途に適したNch MOSFETドライバIC「TCK401G(アクティブハイ[注1])」及び、「TCK402G(アクティブロー[注2])」を製品化し、本日から量産、出荷を開始します。

本プレスリリース��マル�メディアを使用�����。リリース�全文���らを�覧����。: http://www.businesswire.com/news/home/20170928005501/ja/

新製品は過電圧保護機能、突入電流抑制機能、オートディスチャージ機能など各種機能を内蔵しながらも、業界最小クラス[注3]の「WCSP6Eパッケージ」(0.8mm×1.2mm, t: 0.55mm(typ.))を採用しています。

用途に合わせた耐圧およびオン抵抗で選択された、外付けNch MOSFETと本製品との組み合わせにより、高効率な電源回路が実現できます。

例えば、当社の低オン抵抗MOSFET「SSM6K513NU」との組み合わせにより、100Wクラスにも対応した電源回路を省スペースで実現できるため、モバイル機器やコンシューマ機器向けに適しています。

応用機器

モバイル機器、コンシューマ機器

新製品の主な特長

広い入力動作電圧:VIN _opr = 2.7V to 28V 小型WCSP6Eパッケージ:0.8mm x 1.2mm, t: 0.55mm(typ) 過電圧保護機能、突入電流抑制機能、オートディスチャージ機能を内蔵  

新製品の主な仕様

項目(Ta=25℃)

  TCK401G(アクティブハイ)   TCK402G(アクティブロー) 絶対最大定格     入力電圧 VIN (V) 40 電気的特性 入力動作電圧 VIN_opr (V) 2.7 to 28 入力消費電流 IQ(ON) typ. (μA)@ VIN=5 V 121 ゲートドライブ電圧VGS typ (V)   VIN = 3 V 4 VIN = 5 V 6.5 VIN = 9 V 6.5 12V≦VIN≦28V 8.5 ゲートオン時間tON typ (ms) [注4] @VIN=5V, VGATE=6V, CGATE=2000pF 0.58     ゲートオフ時間tOFF typ (μs) [注4] @VIN=5V, VGATE=0.5V,CGATE=2000pF   16.6  

[注1] モード制御端子がハイ論理で外付けMOSFETがオン、ロー論理で外付けMOSFETがオフになります。[注2] モード制御端子がロー論理で外付けMOSFETがオン、ハイ論理で外付けMOSFETがオフになります。[注3] Nch FET Driver IC製品において。2017年9月27日現在。当社調べ。[注4] VCTがVIHの半分の値になってから、記載のVGATEになるまでの時間。

当社の電源用ICの詳細については下記ページをご覧ください。https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/linear/power-supply.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先:小信号デバイス営業推進部Tel: 03-3457-3411https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

連絡先

報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
東芝デバイス&ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢千秋
Tel: 03-3457-4963
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

記事提供:ビジネスワイヤ

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