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東芝：両面放熱により放熱性能を向上した新パッケージを採用、車載用40V耐圧NチャネルパワーMOSFETの発売について

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2018年07月31日

東京

（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、両面放熱・低抵抗・小型化を図ったDSOP Advance(WF)パッケージを採用した車載用40V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPWR7904PB」および「TPW1R104PB」を製品化しました。８月から量産、出荷を開始します。

本プレスリリースではマルチメディアを使用しています。リリースの全文はこちらをご覧ください。： https://www.businesswire.com/news/home/20180730005835/ja/

新製品は、最新トレンチ構造のU-MOS IX-H (ユー・モス・ナイン・エイチ)シリーズのMOSFETチップを、DSOP Advance(WF)パッケージへ搭載することにより、高放熱・低オン抵抗特性を実現しました。これにより、導通損失による発熱をより効率的に放熱することが可能なため、放熱設計の自由度が上がります。また、U-MOS IX-Hシリーズは従来シリーズ 「U-MOS IV (ユー・モス・フォー)」 に比べてスイッチングノイズが少なく、EMI[注1]の低減に貢献できます。

DSOP Advance(WF)パッケージは、ウェッタブルフランク構造[注2]を採用しています。

応用機器・電動パワーステアリング(EPS)・ロードスイッチ・電動ポンプ

新製品の主な特長・車載用途に適したAEC-Q101適合・トッププレート[注3]とドレイン電極による両面放熱パッケージ・ウェッタブルフランク構造[注2]によるAOI視認性向上・低オン抵抗、低ノイズ特性のU-MOSⅨ-Hシリーズ

 

新製品の主な仕様

　(@Ta=25°C)

品番   絶対最大定格  

ドレイン・ソース間オン抵抗RDS(ON) max (mΩ)

  ゲート・

ソース間

ツェナー

ダイオードの有無

  シリーズ   パッケージ ドレイン・

ソース間

電圧

VDSS

(V)

  ドレイン

電流

(DC)

ID

(A)

@VGS＝6 V   @VGS=10 V TPWR7904PB 40 150 1.3 0.79 No U-MOS Ⅸ-H DSOP Advance(WF)L TPW1R104PB     120   1.96   1.14       DSOP Advance(WF)M  

[注1] EMI (Electromagnetic interference): 電磁妨害[注2] ウェッタブルフランク構造: 基板実装状態の自動外観検査 (AOI: Automated Optical Inspection) が可能な端子構造[注3] トッププレートは、 ソースと同電位電極としての使用は想定外。

当社MOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先：パワーデバイス営業推進部Tel： 03-3457-3933https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

＊本資料に掲載されている情報（製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など）は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

businesswire.comでソースバージョンを見る：https://www.businesswire.com/news/home/20180730005835/ja/

連絡先

報道関係の本資料に関するお問い合わせ先：
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢千秋
Tel: 03-3457-4963
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

記事提供：ビジネスワイヤ