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Microchip社、AIデータセンター向けソリッドステート トランスを実現する3.3 kV HV-D3 mSiC(R)パワーモジュールを発表

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マイクロチップ・テクノロジー・ジャパン株式会社

2026年5月27日[NASDAQ: MCHP] - Microchip Technology Incorporated(日本法人: 東京都港区浜松町、代表: 櫟晴彦 以下Microchip社)は本日、AIハイパースケール データセンターやその他の高電圧電源アプリケーションにおけるSST(ソリッドステート トランス)の採用を簡素化し加速するために設計された、新しい3.3 kV HV-D3 mSiC(R)パワーモジュール(https://www.microchip.com/en-us/products/power-management/silicon-carbide/modules/hv-d3?utm_source=pressrelease&utm_medium=pressrelease&utm_campaign=hvd3msic&utm_bu=hps)の提供開始を発表しました。新モジュールは、3.3 kV SiC(シリコン カーバイド)mSiC(R) MOSFETとショットキー ダイオードを業界標準の62 mmパッケージに統合したもので、中電圧グリッドからサーバーラックへ直接、効率的に電力を供給できます。

AIデータセンターが拡大を続ける中、トークン生成が電力供給能力によって制限される一方で、効率がROI(投資収益率)を左右する決定的な要因となっています。大型で低周波数の変圧器を用いる従来のアーキテクチャは、複雑で、電力損失が多く、柔軟性も限られていました。ソリッドステート トランス(https://www.microchip.com/en-us/solutions/data-centers-and-computing/data-center-solutions/sst?utm_source=pressrelease&utm_medium=pressrelease&utm_campaign=hvd3msic&utm_bu=hp)は、この電力供給のあり方を根本から変革し、変換段数を削減する事でシステム全体の効率を向上させます。次世代AI施設における高電圧DCラック配電への業界全体の移行は、SSTの価値を一層際立たせています。SSTは、中電圧グリッドから直接、少ない変換段数で安定化されたDCを供給するよう設計されています。

Microchip社のHV-D3 mSiCモジュールは、こうした要件に応えるべく特別に設計されています。本モジュールはMicrochip社のmSiC MOSFET技術を採用し、温度変化に対するRDS(on)安定性において高い競争力を誇ります。パッケージは6 kVの絶縁に対応し、CTI 600定格の材料を使い、沿面距離を延長する事で、高電圧動作時における安全な直列接続を実現します。窒化ケイ素(Si?N?)基板は熱伝導率とパワーサイクル耐性が向上するため、冷却要件を緩和しながらより高い電力密度の設計が可能です。

Microchip社high-power solutions business unit担当副社長のClayton Pillionは次のように述べています。「AIデータセンターがグリッドからGPUへの電力供給の限界を押し広げ続ける中、ソリッドステート トランスの重要性はますます高まっています。Microchip社の3.3 kV HV-D3 mSiCパワーモジュールなら、13.8 kVまたは34.5 kVグリッドに接続する際、低電圧のSiC代替品と比較して、直列接続デバイスの数を約半分に削減できます。また、100～300A製品の産業市場における主要なギャップにも対応し、ディスクリートSiCデバイスと、はるかに大型のパワーモジュールとの間の隔たりを埋める役割を果たします」

HV-D3 mSiCパワーモジュールは、ハーフブリッジ構成とコモンソース構成で提供され、アンチパラレル ショットキー ダイオード搭載品と非搭載品があり、100～300Aのレンジのアプリケーションに対応します。Microchip社のmSiC MOSFET技術は、ハード スイッチングとソフト スイッチング両方のトポロジでバランスのとれたスイッチング損失を実現するため、SST設計や、その他の高周波数、高電圧システムに適しています。

AIデータセンターのソリッドステート トランスに最適化された本モジュールですが、その用途はこれに留まらず、大型車両向けメガワット級充電インフラ、鉄道および大型輸送向け補助電源、中電圧モータドライブ、産業用/防衛用電力システム等、幅広いアプリケーションに適用可能です。これらの市場では、高絶縁性、熱堅牢性、高効率な電力変換といった共通の特長が活かされます。

Microchip社は20年以上にわたるSiCデバイスと電源ソリューションの開発、設計、製造、サポート経験を活かし、お客様がSiCを簡単迅速、かつ自信を持って導入できるようお手伝いします。Microchip社のmSiC製品およびソリューションは、システムコストを削減し、開発期間を短縮し、リスクを低減できるように設計されています。また、SiCダイオード、MOSFET、ゲートドライバの広範かつ柔軟なポートフォリオを提供しています。詳細はhttps://www.microchip.com/sicを参照してください。

開発ツール
3.3 kVパワーモジュールは、アプリケーション ノート、設計ガイド、デバイスモデル、シミュレーション モデル(https://www.microchip.com/en-us/products/power-management/silicon-carbide/modules/hv-d3?utm_source=pressrelease&utm_medium=pressrelease&utm_campaign=hvd3msic&utm_bu=hps)によってサポートされており、ラピッド プロトタイピングを支援します。また、世界規模の技術サポート、設計サービス、フィールド アプリケーション エンジニアリング サポートを提供しています。

価格と在庫/供給状況
3.3 kV mSiCパワーモジュールは本日より量産受注を開始いたします。ご購入はMicrochip社の正規代理店(https://www.microchip.com/en-us/about/global-sales-and-distribution)にお問い合わせ頂くか、Microchip社のオンラインストア(https://www.microchipdirect.com/)をご利用ください。

リソース
高画質の写真は報道関係専用窓口までお問い合わせ頂くか、Flickrでご覧ください。
● アプリケーション画像: https://www.flickr.com/photos/microchiptechnology/55264371024/sizes/l

Microchip Technology社について:
Microchip社は、幅広い半導体製品を提供する半導体サプライヤであり、新しい技術を市場投入する際の重要な課題を解決するトータルシステム ソリューションを通じて、革新的な設計をより簡単に実現する事に尽力しています。使いやすい開発ツールと包括的な製品ポートフォリオにより、コンセプトの創出から完成までの設計プロセス全体にわたってお客様をサポートします。Microchip社は本社をアリゾナ州チャンドラーに構え、産業、車載、民生、航空宇宙と防衛、通信、コンピューティングの市場で優れた技術サポートとソリューションを提供しています。詳細はMicrochip社ウェブサイト(https://www.microchip.com)をご覧ください。

詳細については、以下にお問い合わせください。
Helen Tang (Microchip社): Helen.Tang@microchip.com

配信元企業：マイクロチップ・テクノロジー・ジャパン株式会社
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記事提供：DreamNews