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東芝デバイス＆ストレージ(株): 業界トップクラスの低オン抵抗を実現した産業機器用100V耐圧NチャネルパワーMOSFETの発売について

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2017年12月18日

～低耐圧パワーMOSFET「U-MOS IX-Hシリーズ」のラインアップを拡充～

東京

（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は低耐圧NチャネルパワーMOSFET「U-MOS IX-H（ユー・モス・ナイン・エイチ）シリーズ」の新製品として、産業機器用電源に適した100V耐圧製品「TPH3R70APL」と「TPN1200APL」を追加し、本日から出荷を開始します。

本プレスリリースではマルチメディアを使用しています。リリースの全文はこちらをご覧ください。： http://www.businesswire.com/news/home/20171218005374/ja/

新製品は、低耐圧トレンチ構造の当社最新世代U-MOS IX-Hプロセスを採用し、素子構造の最適化により業界トップクラス［注１］の低オン抵抗を実現しています。さらに、既存プロセス(U-MOS VIII-H（ユー・モス・エイト・エイチ）)と比べて、スイッチング用途における要求性能指数であるオン抵抗×出力電荷量と、オン抵抗×ゲートスイッチ電荷量を低減［注２］し、低スイッチング損失を実現します。

当社は市場動向に合わせて今後もラインアップの拡充を推進し、電源の高効率化に貢献します。

応用機器

・産業機器用電源・モーター制御機器

新製品の主な特長

・業界トップクラス［注１］の低オン抵抗RDS(ON) = 3.7 mΩ (max) ＠VGS = 10 V (TPH3R70APL)RDS(ON) = 11.5 mΩ (max) ＠VGS = 10 V (TPN1200APL)・低出力電荷量、低ゲートスイッチ電荷量・ロジックレベル駆動 (4.5 V) に対応

 

新製品の主な仕様

 

 (特に指定のない限り、Ta=25°C)

品番

  絶対最大定格  

ドレイン・ソース間

オン抵抗

RDS(ON) max

(mΩ)

 

ゲート入力電荷量

Qgtyp.

(nC)

 

ゲートスイッチ電荷量

Qswtyp.

(nC)

 

出力

電荷量

Qosstyp.

(nC)

 

入力容量

Cisstyp.

(pF)

 

パッケージ

ドレイン・ソース間電圧VDSS (V)

 

ドレイン電流(DC)

ID

@Tc =25℃

(A)

@VGS=10 V

 

@VGS=4.5 V

TPH3R70APL 100 90 3.7 6.2 67 21 74 4850 SOP Advance TPN1200APL     40   11.5   20   24   7.5   24   1425  

TSONAdvance

 

［注１］2017年12月18日現在、同定格の製品において。当社調べ。［注２］TPH3R70APLの場合、TPH4R10ANL (U-MOS VIII-H) と比べてオン抵抗×出力電荷量を10 %低減。TPH3R70APLの場合、TPH4R10ANL (U-MOS VIII-H) と比べてオン抵抗×ゲートスイッチ電荷量を10 %低減。

当社12V-300V MOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/lv-mosfet.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先：パワーデバイス営業推進部Tel： 03-3457-3933https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

＊本資料に掲載されている情報（製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など）は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

businesswire.comでソースバージョンを見る：http://www.businesswire.com/news/home/20171218005374/ja/

連絡先

報道関係の本資料に関するお問い合わせ先：
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢千秋
Tel: 03-3457-4963
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

記事提供：ビジネスワイヤ