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東芝デバイス＆ストレージ(株): アクティブクランプ構造を採用したリレー駆動用小型MOSFETの発売について

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2017年09月25日

東京

（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、メカリレーなどの誘導性負荷のドライブに適した、ドレイン-ゲート端子間にダイオードを内蔵したアクティブクランプ構造を採用したMOSFET「SSM3K357R」を製品化し本日から量産、出荷を開始します。

本プレスリリース��マル�メディアを使用�����。リリース�全文���らを�覧����。： http://www.businesswire.com/news/home/20170925005536/ja/

本製品により、誘導性負荷のインダクタンスから発生する逆起電力などの電圧サージから、ドライブ素子の破壊を防ぐことができます。

また、周辺回路として必要なプルダウン抵抗、シリーズ抵抗、ツェナーダイオードを内蔵しているため、部品の削減ができるだけでなく、実装スペースの削減にも貢献します。

業界標準のSOT-23クラスのパッケージと3.0Vの低電圧動作およびAEC-Q101適応により、車載用途をはじめとして幅広い用途への応用が可能です。

応用機器

・車載向け リレー、ソレノイド駆動用・産業向け リレー、ソレノイド駆動用・OA機器向け クラッチ駆動用

新製品の主な特長

・誘導負荷に強いアクティブクランプ構造・3.0V低電圧動作・AEC-Q101適合

 

新製品の主な仕様

  項目

(Ta=25℃)

  特性 絶対最大定格   ドレイン・ソース間電圧

VDSS (V)

60 ゲート・ソース間電圧

VGSS (V)

±12 ドレイン電流

ID (A)

0.65 電気的特性

ドレイン・ソース間オン抵抗

RDS(ON) max (mΩ)

  |VGS|=3.0V 1200 |VGS|=5.0V 800 ゲート入力電荷量

Qg typ. (nC)

1.5 入力容量

Ciss typ. (pF)

43 パッケージ   SOT-23F   2.9mm×2.4mm; t=0.8mm  

当社の小型・低オン抵抗MOSFETの詳細については下記ページをご覧ください。https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/small-mosfet.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先：小信号デバイス営業推進部Tel： 03-3457-3411https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

＊本資料に掲載されている情報（製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など）は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

businesswire.comでソースバージョンを見る：http://www.businesswire.com/news/home/20170925005536/ja/

連絡先

報道関係の本資料に関するお問い合わせ先：
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢千秋
Tel: 03-3457-4963
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

記事提供：ビジネスワイヤ